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J-GLOBAL ID：201702254061963449   整理番号：17A0703277

設計された表面障壁による金蒸着膜アシスト化学エッチング中の物質移動の経路【Powered by NICT】

The path of mass transfer during Au thin film-assisted chemical etching by designed surface barriers

著者 (10件)： Jiang Bing (State Key Laboratory of Alternate Electrical Power System with Renewable Energy Sources, North China Electric Power University, Beijing 102206, China. [e-mail]) ,  Dai Han ,  Zhao Qiang ,  Lin Jun ,  Chu Lihua ,  Li Yingfeng ,  Fu Pengfei ,  Wu Gaoxiang ,  Ji Jun ,  Li Meicheng
資料名： RSC Advances (Web)  (RSC Advances (Web))
巻： 7  号： 19  ページ： 11522-11527  発行年： 2017年 
JST資料番号： U7055A  ISSN： 2046-2069  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 界面間の金属支援化学エッチング中の物質移動がエポキシ保護法によって直接明らかにした。結果はSiの溶解はAu-Si界面の代わりにAu膜表面で起こることを示した。Au膜内の物質移動経路を提案し,Si原子はAu膜中に溶解し,その後Au格子を横切って拡散し,Au膜/溶液界面での離れた酸化とエッチングした。このモデルはAu薄膜の表面上のSi原子(SiO_2とSiF_6~2 )の酸化生成物により証明した。添加では,Au-Si界面でH_2の異常放出はエッチング中のAu膜内のH原子の拡散の確率を示した。本研究では,金属支援化学エッチングの機構へのさらなる洞察を提供した。Copyright 2017 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *エッチング ,  *物質移動 ,  モデル ,  *金 ,  界面 ,  薄膜 ,  *蒸着膜 ,  ケイ素 ,  *ウェットエッチング ,  溶液界面
準シソーラス用語： 酸化生成物 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： 無機化合物一般及び元素  (CD01010D) ,  半導体薄膜  (BK14040E) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (8件)： 設計 ,  障壁 ,  金 ,  蒸着膜 ,  アシスト ,  化学エッチング ,  物質移動 ,  経路