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J-GLOBAL ID:201702254122842589   整理番号:17A0169091

:薄膜の構造と光電特性に及ぼすスパッタリング圧力の影響を研究した。【JST・京大機械翻訳】

Effects of Modulate Sputtering Pressure on Structure and Optoelectric Properties of ZnO : Ga Films
著者 (5件):
資料名:
巻: 52  号: 10  ページ: 22-25  発行年: 2016年 
JST資料番号: C2267A  ISSN: 1001-9642  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: 中国 (CHN)  言語: 中国語 (ZH)
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RFマグネトロンスパッタリングにより,石英基板上にZNOを堆積させた。GA薄膜。実験は4つの群に分けられ,それぞれ0.7PA/1PA,1PA/PA1PA,1.5PA/1PA,2PA/PA1PAであった。結晶の微細構造,電気的性質および光学的性質を解析した。キャラクタリゼーションを行った。異なるスパッタリング圧力下で,ZNO:ZNO:ZNO:ZNO:ZNOGA薄膜は(002)方向の優先配向を持ち,ZNOの六方晶ウルツ鉱型結晶構造を示した。第一段階において,スパッタリングサンプルの電気抵抗は,低周波数の場合よりも低かった。可視光透過率は,第一段階のスパッタリング圧力の増加とともに減少した。PL分析において、異なる気圧状態において、いずれも紫外発光ピークと青色発光ピークが出現し、第一段スパッタリング圧力の上昇に伴い、サンプルの固有発光ピークと欠陥ピークがいずれも強化される。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【JST・京大機械翻訳】
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, 【Automatic Indexing@JST】
著者キーワード (4件):
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酸化物薄膜  ,  半導体のルミネセンス 
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