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J-GLOBAL ID：201702254407823944   整理番号：17A0700777

絶縁体構造上の多層Boropheneの作製【Powered by NICT】

Fabrication of Multilayer Borophene on Insulator Structure

著者 (7件)： Tsai Hsu-Sheng (Institute of Nuclear Engineering and Science, National Tsing Hua University, No. 101, Section 2, Kuang-Fu Road, Hsinchu, Taiwan, 30013, R. O. C.. [e-mail]) ,  Hsiao Ching-Hung (Department of Material Science and Engineering, National Tsing Hua University, Hsinchu, Taiwan, 30013, R. O. C.) ,  Lin Yu-Pin (Department of Material Science and Engineering, National Chiao Tung University, Hsinchu, Taiwan, 30013, R. O. C.) ,  Chen Chia-Wei (Department of Material Science and Engineering, National Tsing Hua University, Hsinchu, Taiwan, 30013, R. O. C.) ,  Ouyang Hao (Department of Material Science and Engineering, National Tsing Hua University, Hsinchu, Taiwan, 30013, R. O. C.) ,  Liang Jenq-Horng (Institute of Nuclear Engineering and Science, National Tsing Hua University, No. 101, Section 2, Kuang-Fu Road, Hsinchu, Taiwan, 30013, R. O. C.. [e-mail]) ,  Liang Jenq-Horng (Department of Engineering and System Science, National Tsing Hua University, Hsinchu, Taiwan, 30013, R. O. C.. [e-mail])
資料名： Small  (Small)
巻： 12  号： 38  ページ： 5251-5255  発行年： 2016年 
JST資料番号： W2348A  ISSN： 1613-6810  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： X線光電子分光スペクトルは,B-B結合のピークを示し,元素ホウ素構造はプロセス後に形成されたかもしれないことを示唆した。多層βboropheneを透過型電子顕微鏡(TEM)により直接観察され,格子パラメータは有効である。中SiNx層は,TEM画像で同定することができる。さらに,多層βboropheneの1.61eVバンドギャップは本研究で発表されている。Copyright 2017 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： スペクトル ,  画像 ,  *絶縁体 ,  ホウ素 ,  バンドギャップ ,  *多層 ,  透過型電子顕微鏡 ,  X線光電子分光法 ,  格子定数

著者キーワード (3件)： borophene ,  イオン注入 ,  プラズマ

分類 (3件)： 医用素材  (GA05040H) ,  細胞生理一般  (EF02010S) ,  炭素とその化合物  (YB02060D)

タイトルに関連する用語 (3件)： 絶縁体 ,  多層 ,  作製