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J-GLOBAL ID：201702254449099828   整理番号：17A0204197

陽子照射下のInP/InGaAs DHBTの模擬研究【Powered by NICT】

Simulated study on the InP/InGaAs DHBT under proton irradiation

著者 (4件)： Liu Min (School of Microelectronics, Xidian University) ,  Zhang Yuming (School of Microelectronics, Xidian University) ,  Lu Hongliang (School of Microelectronics, Xidian University) ,  Zhang Yimen (School of Microelectronics, Xidian University)
資料名： Journal of Semiconductors  (Journal of Semiconductors)
巻： 37  号： 11  ページ： 114005-1-114005-4  発行年： 2016年 
JST資料番号： C2377A  ISSN： 1674-4926  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： InP/InGaAs/InP DHBTの3Dモデルシミュレーションは,この論文で報告した。包括的セット内蔵物理モデルについて述べ,Strattonの流体力学モデル,高電場移動度モデルと熱電子放出モデルを含んでいる。混合モード環境は分離したH BT,H BTは外部回路に埋め込まれているをシミュレーションの代わりにACシミュレーションに必要であり,回路電圧・電流方程式をPoisson方程式と輸送方程式とともに解いた。ACシミュレーションでは,シミュレータSentaurusは小信号アドミタンスY行列の計算を提供する。Y行列の結果から,小信号等価回路をYマトリックスから得られた導電率と静電容量を構築し,SparametersのようなACパラメータを計算した。陽子照射下のInP/InGaAs DHBTの小信号AC特性をプロトン照射の異なるフルエンスでシミュレートした。シミュレーション結果は,陽子照射のフルエンスが増加すると最大発振周波数は分解されることを示した。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *ヒ化ガリウムインジウム ,  等価回路 ,  電気伝導率 ,  Y行列 ,  熱電子放出 ,  静電容量 ,  Poisson方程式 ,  流体力学的模型 ,  *リン化インジウム ,  移動度 ,  *陽子照射
準シソーラス用語： アドミタンス ,  輸送方程式 ,  物理モデル ,  *DHBT , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： ヘテロ接合バイポーラトランジスタ ,  陽子照射 ,  InP/InGaAs ,  遮断周波数

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (5件)： 陽子照射 ,  InP ,  InGaAs ,  DHBT ,  研究