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J-GLOBAL ID：201702256741669871   整理番号：17A0475798

F4-TCNQをドープしたPEDOTを伴う逆平面ペロブスカイト太陽電池の改善された性能:PSS正孔輸送層【Powered by NICT】

Improved performance of inverted planar perovskite solar cells with F4-TCNQ doped PEDOT:PSS hole transport layers

著者 (10件)： Liu Dongyang (Jiangsu Key Laboratory for Carbon-Based Functional Materials & Devices, Institute of Functional Nano and Soft Materials (FUNSOM), Soochow University, 199 Renai Road, Suzhou Industrial Park, Suzhou, 215123, China. [e-mail] [e-mail]) ,  Li Yong ,  Yuan Jianyu ,  Hong Qiuming ,  Shi Guozheng ,  Yuan Daxing ,  Wei Jian ,  Huang Chenchao ,  Tang Jianxin ,  Fung Man-Keung
資料名： Journal of Materials Chemistry A. Materials for Energy and Sustainability  (Journal of Materials Chemistry A. Materials for Energy and Sustainability)
巻： 5  号： 12  ページ： 5701-5708  発行年： 2017年 
JST資料番号： W0204B  ISSN： 2050-7488  CODEN： JMCAET  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 合理的正孔輸送層(HTL)材料設計はペロブスカイト太陽電池(PSCs)の効率と安定性を改善するための最も重要な手法の一つと考えられている。ここでは,従来のポリ(3,4-エチレンジオキシチオフェン):ポリ-(スチレンスルホン酸)(PEDOT:PSS)HTLの光学的および電気的特性に対する広く普及したp型ドーパント2,3,5,6-テトラフルオロ-7,7,8,8-テトラシアノキノジメタン(F4-TCNQ)の影響,ならびに対応するペロブスカイト太陽電池の光起電力性能を調べた。低濃度のF4-TCNQドーピングは効率的にPEDOT:PSS膜の電気的性質を調整し,最高被占分子軌道(HOMO)レベルを低下させることができる。結果として,ドープ膜の向上した電気伝導率とエネルギー的に有利なエネルギー準位アラインメントは,HTLにペロブスカイト吸収体層からの効率的キャリア輸送を可能にした。最後に,F4-TCNQをドープしたHTLを有するPSCsは同時に増加した短絡電流(J_sc),開回路電圧(V_oc)と曲線因子(FF)を示した。最高の電力変換効率(PCE)は13.30%(アンドープ)から17.22%(F4-TCNQドーピングの0.30wt%)に改善され,F4-TCNQドープされたPEDOT:PSS膜は,高性能ペロブスカイト太陽電池を達成するために効率的なHTLであることを示唆した。Copyright 2017 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 短絡電流 ,  *太陽電池 ,  ドーパント ,  HOMO ,  吸収体 ,  光起電力 ,  電気伝導率 ,  材料設計 ,  *ドーピング
準シソーラス用語： 電力変換効率 ,  曲線因子 ,  開回路電圧 ,  キャリア輸送 ,  PEDOT:PSS ,  *正孔輸送層 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 太陽電池  (NC03084O) ,  電気化学反応  (CB07050F)

タイトルに関連する用語 (6件)： F4-TCNQ ,  ドープ ,  PEDOT ,  ペロブスカイト太陽電池 ,  PSS ,  正孔輸送層