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J-GLOBAL ID：201702256959399886   整理番号：17A0251657

機構の解明がエピタキシャルグラフェン上,常温における水の分解による水素発生の促進をもたらす

Unveiling the Mechanisms Leading to H₂ Production Promoted by Water Decomposition on Epitaxial Graphene at Room Temperature

著者 (14件)： POLITANO Antonio (Univ. Calabria, Cosenza, ITA) ,  CATTELAN Mattia (Univ. Padova, Padova, ITA) ,  BOUKHVALOV Danil W. (Hanyang Univ., Seoul, KOR) ,  BOUKHVALOV Danil W. (Ural Federal Univ., Ekaterinburg, RUS) ,  CAMPI Davide (Univ. Milano-Bicocca, Milano, ITA) ,  CUPOLILLO Anna (Univ. Calabria, Cosenza, ITA) ,  AGNOLI Stefano (Univ. Padova, Padova, ITA) ,  APOSTOL Nicoleta G. (Elettra-Sincrotrone Trieste S.C.p.A., Trieste, ITA) ,  LACOVIG Paolo (Elettra-Sincrotrone Trieste S.C.p.A., Trieste, ITA) ,  LIZZIT Silvano (Elettra-Sincrotrone Trieste S.C.p.A., Trieste, ITA) ,  FARIAS Daniel (Universidad Autonoma de Madrid, Madrid, ESP) ,  CHIARELLO Gennaro (Univ. Calabria, Cosenza, ITA) ,  GRANOZZI Gaetano (Univ. Padova, Padova, ITA) ,  LARCIPRETE Rosanna (Inst. for Complex Systems, CNR, Roma, ITA)
資料名： ACS Nano  (ACS Nano)
巻： 10  号： 4  ページ： 4543-4549  発行年： 2016年04月 
JST資料番号： W2326A  ISSN： 1936-0851  CODEN： ANCAC3  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ニッケル(111)基板上にエピタキシャル成長させたグラフェンによる水の接触分解機構をX線光電子スペクトル,高分解電子エネルギー損失分光法により検討した。ニッケル/グラフェン界面において常温で水の解離が生じことを密度汎関数法計算により予測した。TPRにおいて400K以上の温度でH₂分子が脱離し,H₂O/D₂OのTPRでHDOが生成することを確かめた。水素貯蔵材料として貯蔵容量1,37wt%を推定した。

シソーラス用語： *ニッケル ,  エピタクシー ,  *グラフェン ,  *界面 ,  *分解反応 ,  *水素発生反応 ,  密度汎関数法 ,  TPR【触媒】 ,  重水 ,  *水素貯蔵材料 ,  X線光電子スペクトル ,  高分解能分光法 ,  電子エネルギー損失分光法
準シソーラス用語： エピタキシャル成長 ,  *固固界面 ,  高分解能電子エネルギー損失分光法 ,  *水分解 ,  貯蔵容量

分類 (3件)： 固-固界面  (CB12060M) ,  その他の触媒  (CB06123Z) ,  気体燃料の輸送,供給,貯蔵  (YE02060M)

タイトルに関連する用語 (6件)： エピタキシャルグラフェン ,  常温 ,  水 ,  分解 ,  水素発生 ,  促進