光通信のためのGaN系LED【Powered by NICT】

Zhao Lixia; Zhu Shichao; Wu Chunhui; Yang Chao; Yu Zhiguo; Yang Hua; Liu Lei

文献

J-GLOBAL ID：201702257020295003 整理番号：17A0205006

光通信のためのGaN系LED【Powered by NICT】

GaN-based LEDs for light communication

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資料名：
巻： 59 号： 10 ページ： 107301_01-107301_10 発行年： 2016年
JST資料番号： C2587A ISSN： 1674-7348 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：中国 (CHN) 言語：英語 (EN)

GaN系LEDの効率の急速な改善は一般照明への応用を加速するだけでなく,データ伝送のための可能性を提供する。本レビューでは,光通信のためのGaN系LEDの電流の進歩の概観を提供することである。GaN系LEDの変調帯域幅は最初のLEDエピ層構造を最適化することにより改善され,73MHzの変調帯域幅は,多重量子井戸構造を変化させることにより40cm 2の駆動電流密度で達成された。後,電流密度耐性を増加させるために,異なる並列フリップチップマイクロLEDアレイを作製した。~7900cm 2の高い注入電流密度で,約227MHzの最大変調帯域幅は30mW以上の光パワーを得た。キャリア濃度の増加に加えて,放射再結合係数Bも共振器,表面プラズモンとフォトニック結晶のようないくつかの新しいナノ構造に基づく光子周囲の環境を修飾することにより増強された。Agナノ粒子を有するGaN系ナノ構造LEDの光学的3dB変調帯域幅は銀ナノ粒子を含まないGaN系ナノ構造LEDと比較して2倍増強された。著者らの結果は,量子井戸-SP結合を用いたキャリア自然放出率を増強して,また,LEDの変調帯域幅を増加し,特に高い固有IQEを持つLEDに効果的に支援できることを実証した。添加では,GaN系LEDにより刺激された高速色変換の進展を論じた。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【Powered by NICT】

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半導体レーザ

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