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J-GLOBAL ID：201702257284289290   整理番号：17A0398748

ジグザグシリセンナノリボンにおける吸着原子に誘起された局所再構成:スピン半導体特性および大スピン熱【Powered by NICT】

Adatom-induced local reconstructions in zigzag silicene nanoribbons: Spin semiconducting properties and large spin thermopowers

著者 (11件)： Yang X.F. (College of Physics and Electronic Engineering, Changshu Institute of Technology and Jiangsu Laboratory of Advanced Functional Materials, Changshu 215500, China) ,  Zou X.L. (College of Physics and Electronic Engineering, Changshu Institute of Technology and Jiangsu Laboratory of Advanced Functional Materials, Changshu 215500, China) ,  Kuang Y.W. (College of Physics and Electronic Engineering, Changshu Institute of Technology and Jiangsu Laboratory of Advanced Functional Materials, Changshu 215500, China) ,  Shao Z.G. (College of Physics and Electronic Engineering, Changshu Institute of Technology and Jiangsu Laboratory of Advanced Functional Materials, Changshu 215500, China) ,  Zhang J. (College of Physics and Electronic Engineering, Changshu Institute of Technology and Jiangsu Laboratory of Advanced Functional Materials, Changshu 215500, China) ,  Hong X.K. (College of Physics and Electronic Engineering, Changshu Institute of Technology and Jiangsu Laboratory of Advanced Functional Materials, Changshu 215500, China) ,  Zhang D.B. (College of Physics and Electronic Engineering, Changshu Institute of Technology and Jiangsu Laboratory of Advanced Functional Materials, Changshu 215500, China) ,  Feng J.F. (College of Physics and Electronic Engineering, Changshu Institute of Technology and Jiangsu Laboratory of Advanced Functional Materials, Changshu 215500, China) ,  Chen X.S. (National Laboratory for Infrared Physics, Shanghai Institute of Technical Physics, Chinese Academy of Sciences, Shanghai 200083, China) ,  Liu Y.S. (College of Physics and Electronic Engineering, Changshu Institute of Technology and Jiangsu Laboratory of Advanced Functional Materials, Changshu 215500, China) ,  Liu Y.S. (National Laboratory for Infrared Physics, Shanghai Institute of Technical Physics, Chinese Academy of Sciences, Shanghai 200083, China)
資料名： Chemical Physics Letters  (Chemical Physics Letters)
巻： 667  ページ： 113-119  発行年： 2017年 
JST資料番号： B0824A  ISSN： 0009-2614  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 第一原理法を用いて,単一Si原子により吸収されたジグザグシリセンナノリボン(ZSiNR)の磁気的性質と熱スピン効果を調べた。緩和後,定常ダンベル状構造が形成され,それは二つのジグザグ端間の弱い反強磁性(A FM)結合を誘導する。,バンドギャップは開き,一方吸着ZSiNRはスピン半導体特性を示した。吸着ZSiNRベースデバイスにおける大きなスピン熱起電力と弱い電荷熱起電力を同時に達成でき,それはFermi準位に相対的スピンアップおよびスピン-ダウン輸送スペクトルのほぼ完全な鏡映対称性に起因した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： バンドギャップ ,  *再構成 ,  Fermi準位 ,  緩和現象 ,  *吸着 ,  *半導体 ,  *折れ線 ,  熱起電力 ,  第一原理 ,  反強磁性 ,  電荷 ,  磁気的性質
準シソーラス用語： 鏡映対称性 ,  スピンアップ ,  *吸着原子 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： ジグザグシリセンナノリボン ,  スピン半導体特性 ,  熱スピン効果 ,  第一原理法

分類 (1件)： 原子・分子のクラスタ  (BH09030O)

タイトルに関連する用語 (4件)： 吸着原子 ,  誘起 ,  再構成 ,  スピン