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J-GLOBAL ID：201702257310298916   整理番号：17A0445522

RFスパッタリングによるTiとSS316LVM基板上のTa,TaNおよびTa/TaN層の薄膜蒸着【Powered by NICT】

Thin film deposition of Ta, TaN and Ta/TaN bi-layer on Ti and SS316-LVM substrates by RF sputtering

著者 (5件)： Jara A. (Dept. Fisica, Fac. Ciencias, Universidad Central de Venezuela, Caracas, Venezuela) ,  Fraisse B. (Institut Charles Gerhardt Montpellier, UMR-5253, Universite de Montpellier, CNRS, ENSCM, Montpellier, France) ,  Flaud V. (Institut Charles Gerhardt Montpellier, UMR-5253, Universite de Montpellier, CNRS, ENSCM, Montpellier, France) ,  Frety N. (Institut Charles Gerhardt Montpellier, UMR-5253, Universite de Montpellier, CNRS, ENSCM, Montpellier, France) ,  Gonzalez G. (Centro de Ingenieria de Materiales y Nanotecnologia, Instituto Venezolano de Investigaciones Cientificas, Caracas 1020A, Venezuela)
資料名： Surface & Coatings Technology  (Surface & Coatings Technology)
巻： 309  ページ： 887-896  発行年： 2017年 
JST資料番号： D0205C  ISSN： 0257-8972  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 種々の基板上にRFスパッタリングにより堆積したTaNと二重層Ta/TaN薄膜:TiとSS316L,Taの形成と特性評価を研究した。膜をXRD,GIXRD,HRSEM,AFM,XPSおよびナノインデンテーションにより調べた。基板の性質が生成したTa相に強い影響を持つことが分かった。α-Ta相の形成は,SS316LVM上で得られたが,β-Ta相はTiとTaN基板上に形成した。基板だけでなく,形成された相堆積した薄膜の微細構造と粗さにも影響する。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： *タンタル ,  *チタン ,  微細構造 ,  キャラクタリゼーション ,  *薄膜 ,  ナノインデンテーション ,  *RFスパッタリング
準シソーラス用語： *SS316L ,  二重層 ,  *薄膜蒸着 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： Ta ,  TaNおよびTa/TaN薄膜 ,  キャラクタリゼーション ,  RFスパッタリング

分類 (3件)： 金属薄膜  (BK14030T) ,  酸化物薄膜  (BK14050P) ,  非金属材料へのセラミック被覆  (YC02040K)

タイトルに関連する用語 (4件)： RFスパッタリング ,  Ti ,  Ta ,  薄膜蒸着