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J-GLOBAL ID：201702257418775214   整理番号：17A0323787

n型への両極性からの高分子半導体を変換する芳香族アミンの正孔捕獲効果の利用【Powered by NICT】

Utilization of hole trapping effect of aromatic amines to convert polymer semiconductor from ambipolar into n-type

著者 (12件)： Sun Bin (Department of Chemical Engineering, University of Waterloo, 200 University Ave West, Waterloo, ON, N2L 3G1, Canada) ,  Sun Bin (Waterloo Institute for Nanotechnology (WIN), University of Waterloo, 200 University Ave West, Waterloo, ON, N2L 3G1, Canada) ,  Hong Wei (Department of Chemical Engineering, University of Waterloo, 200 University Ave West, Waterloo, ON, N2L 3G1, Canada) ,  Hong Wei (Waterloo Institute for Nanotechnology (WIN), University of Waterloo, 200 University Ave West, Waterloo, ON, N2L 3G1, Canada) ,  Guo Chang (Department of Chemical Engineering, University of Waterloo, 200 University Ave West, Waterloo, ON, N2L 3G1, Canada) ,  Guo Chang (Waterloo Institute for Nanotechnology (WIN), University of Waterloo, 200 University Ave West, Waterloo, ON, N2L 3G1, Canada) ,  Sutty Sibi (Waterloo Institute for Nanotechnology (WIN), University of Waterloo, 200 University Ave West, Waterloo, ON, N2L 3G1, Canada) ,  Sutty Sibi (Department of Electrical and Computer Engineering, University of Waterloo, 200 University Ave West, Waterloo, ON, N2L 3G1, Canada) ,  Aziz Hany (Waterloo Institute for Nanotechnology (WIN), University of Waterloo, 200 University Ave West, Waterloo, ON, N2L 3G1, Canada) ,  Aziz Hany (Department of Electrical and Computer Engineering, University of Waterloo, 200 University Ave West, Waterloo, ON, N2L 3G1, Canada) ,  Li Yuning (Department of Chemical Engineering, University of Waterloo, 200 University Ave West, Waterloo, ON, N2L 3G1, Canada) ,  Li Yuning (Waterloo Institute for Nanotechnology (WIN), University of Waterloo, 200 University Ave West, Waterloo, ON, N2L 3G1, Canada)
資料名： Organic Electronics  (Organic Electronics)
巻： 37  ページ： 190-196  発行年： 2016年 
JST資料番号： W1352A  ISSN： 1566-1199  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,両極性高分子半導体,PDBTAZへのドーパントとして数種の芳香族アミン化合物を添加し,有機薄膜トランジスタ中にドープされた高分子薄膜の電荷輸送挙動を研究した。アミンドーパントとポリマの間のHOMOエネルギー差である,トラップエネルギー(E,T)は,これらのアミンの正孔輸送抑制効果に関連することが分かった。E T<0.25eVのアミンに対して,2%ドーパント濃度でドープした高分子膜の正孔輸送特性の変化は殆ど認められなかった。対照的に,E T>0.25eVのアミンのための,完全な正孔輸送抑制を実現した。本研究は両極性高分子半導体を変換する単極性n型高分子半導体への有用なアプローチを提供する。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： エネルギーギャップ ,  ドーパント ,  高分子膜 ,  *芳香族アミン ,  *アミン ,  *正孔 ,  ドーピング ,  HOMO ,  高分子薄膜 ,  *高分子半導体
準シソーラス用語： 単極性 ,  正孔輸送 ,  電荷輸送 ,  有機薄膜トランジスタ ,  *両極性 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  高分子固体の物理的性質  (CG02024U)

タイトルに関連する用語 (4件)： 両極性 ,  高分子半導体 ,  芳香族アミン ,  正孔捕獲