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J-GLOBAL ID：201702257430819975   整理番号：17A0222817

Ge(001)上のペロブスカイト原子層堆積中のZintl層の形成

Zintl layer formation during perovskite atomic layer deposition on Ge (001)

著者 (8件)： Hu Shen (Department of Chemical Engineering, The University of Texas at Austin, Austin, Texas 78712, USA) ,  Lin Edward L. (Department of Chemical Engineering, The University of Texas at Austin, Austin, Texas 78712, USA) ,  Hamze Ali K. (Department of Physics, The University of Texas at Austin, Austin, Texas 78712, USA) ,  Posadas Agham (Department of Physics, The University of Texas at Austin, Austin, Texas 78712, USA) ,  Wu HsinWei (School of Engineering for Matter, Transport and Energy, Arizona State University, Tempe, Arizona 85287, USA) ,  Smith David J. (Department of Physics, Arizona State University, Tempe, Arizona 85287, USA) ,  Demkov Alexander A. (Department of Physics, The University of Texas at Austin, Austin, Texas 78712, USA) ,  Ekerdt John G. (Department of Chemical Engineering, The University of Texas at Austin, Austin, Texas 78712, USA)
資料名： Journal of Chemical Physics  (Journal of Chemical Physics)
巻： 146  号： 5  ページ： 052817-052817-10  発行年： 2017年02月07日 
JST資料番号： C0275A  ISSN： 0021-9606  CODEN： JCPSA6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： in situ X線光電子分光法,反射高エネルギー電子回折および密度汎関数理論を用いて,原子層堆積法によるGe(001)上のABO₃ペロブスカイトの初期成長中の表面内殻準位シフトおよび表面構造を解析した。ここでA=Ba,SrおよびB=Ti,Hf,Zrである。清浄なGe表面上のバリウムまたはストロンチウム-ビス(トリイソプロピルシクロペンタジエニル)前駆体の最初の投与が,Baを分子ビームエピタキシーで堆積するときに形成される0.5単層Ba Zintl層と同じ化学的および構造的特性を有する表面相を生成することを見出した。化学的または元素的な金属源のいずれかを使用する場合,同様の結合エネルギーシフトがBa,Sr,およびGeについて見出される。観察されたゲルマニウム表面の内殻準位のシフトは,分子および金属の両方の金属源を使用して最初に傾けられたGe表面二量体の平坦化と一致する。類似の結合エネルギーシフトおよびアルカリ土類金属吸着による二量体傾斜の変化を,密度汎関数理論計算によって見出した。BaTiO₃,SrZrO₃,SrHfO₃,およびSrHf_0.55Ti_0.45O₃の高傾斜角暗視野走査透過顕微鏡画像は,Ge二量体間のBa(またはSr)原子列の位置を明らかにした。結果は,分子ビームエピタキシーの間に第IV族半導体上のペロブスカイト成長に重要な同じZint1テンプレートを生成し,Ge表面上の前駆体吸着後に有機配位子が前駆体から解離することを意味する。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *化学蒸着 ,  X線光電子分光法 ,  RHEED ,  密度汎関数法 ,  *ペロブスカイト型結晶 ,  *金属酸化物 ,  *相 ,  ゲルマニウム ,  内殻準位 ,  前駆体 ,  結合エネルギー ,  エネルギー ,  変化 ,  MBE成長 ,  配位子 ,  バリウム化合物 ,  チタン化合物 ,  ストロンチウム化合物 ,  ジルコニウム化合物 ,  ハフニウム化合物 ,  表面構造
準シソーラス用語： *原子層堆積 ,  *Zintl相 ,  エネルギーシフト ,  有機配位子

分類 (3件)： 気相めっき  (WC08022K) ,  金属の表面構造  (BK15020P) ,  表面の電子構造  (BM02080J)

タイトルに関連する用語 (3件)： Ge ,  ペロブスカイト ,  原子層堆積