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J-GLOBAL ID:201702257465516085   整理番号:17A0762422

電子密度が高いドナー安定化シリレン/ホスフィン担持炭素(0)中心

Donor-Stabilized Silylene/Phosphine-Supported Carbon(0) Center with High Electron Density
著者 (10件):
資料名:
巻: 56  号: 24  ページ: 6891-6895  発行年: 2017年 
JST資料番号: H0127B  ISSN: 1433-7851  CODEN: ACIEAY  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 短報  発行国: ドイツ (DEU)  言語: 英語 (EN)
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単離可能なドナー安定化シラビニリデンホスホランを合成した。ホスフィンおよびドナー安定化シリレン配位子を特徴とする新しい炭素(0)錯体としても考えることができる本分子は電子密度が極めて高い(-1.82)中心炭素原子を示した。さらに,本化合物の電子密度に関する実験研究はケイ素中心方向への中心炭素原子におけるσ-孤立電子対の非局在化,すなわち,他の屈曲性アレーン型分子の電子状態とは著しく異なる特徴を実証した。本結果は,ドナー安定化シリレン配位子の強力な電子供与能力およびその優れた電子受容性を明確に実証した。Copyright 2018 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.
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分類 (3件):
分類
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有機りん化合物  ,  有機けい素化合物  ,  分子の電子構造 
物質索引 (1件):
物質索引
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