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J-GLOBAL ID：201702257524020686   整理番号：17A0472824

μc SiOx:H/a-Siにおける電気的に変調された横方向光起電力:低温での:H/c-Si p-i-n構造【Powered by NICT】

Electrically modulated lateral photovoltage in μc-SiOx:H/a-Si:H/c-Si p-i-n structure at low temperatures

著者 (5件)： Liu Jihong (Hebei Key Laboratory of Optic-Electronic Information and Materials, College of Physics Science and Technology, Hebei University, Baoding 071002, PR China) ,  Qiao Shuang (Hebei Key Laboratory of Optic-Electronic Information and Materials, College of Physics Science and Technology, Hebei University, Baoding 071002, PR China) ,  Wang Jianglong (Hebei Key Laboratory of Optic-Electronic Information and Materials, College of Physics Science and Technology, Hebei University, Baoding 071002, PR China) ,  Wang Shufang (Hebei Key Laboratory of Optic-Electronic Information and Materials, College of Physics Science and Technology, Hebei University, Baoding 071002, PR China) ,  Fu Guangsheng (Hebei Key Laboratory of Optic-Electronic Information and Materials, College of Physics Science and Technology, Hebei University, Baoding 071002, PR China)
資料名： Materials Science & Engineering. B. Advanced Functional Solid-State Materials  (Materials Science & Engineering. B. Advanced Functional Solid-State Materials)
巻： 218  ページ： 1-6  発行年： 2017年 
JST資料番号： T0553A  ISSN： 0921-5107  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： μc-SiOx:H/a-Si:H/c-Si p-i-n構造における横方向光起電力効果(LPE)を,可視から赤外の範囲の異なるレーザの照射下で種々の温度で研究した。LPEは全温度範囲で波長に依存するほぼ直線的に位置感度を有するレーザ波長の増加とともに改善された。位置感度を296Kから80Kまで測定温度の減少とともに徐々に減少したが,非線形性が少なく,これは導電層の電気抵抗率低下に帰することができるを改善した。LPEは主にSchottky障壁(SB)で測定し,外部バイアス電圧はビルトイン電場を高めるために添加したことを考慮すると,それはLPEがレーザ出力に直線的に比例位置感度を有する劇的に改善されたことが分かった。より重要なことは,位置感度と非線形性の両方は,全レーザ出力範囲で再び温度に依存しなかった。著者らの研究は,低温でのバイアス電圧変調LPEに新たな光を当てた。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 電気抵抗率 ,  *低温 ,  レーザ出力 ,  波長 ,  Schottky障壁 ,  光起電力効果 ,  非線形性 ,  レーザ ,  *光起電力
準シソーラス用語： 内部電場 ,  バイアス電圧 ,  導電層 ,  温度範囲 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： p-i-n構造 ,  光材料と性質 ,  光起電力効果 ,  光検出器

分類 (1件)： 太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (5件)： Si ,  変調 ,  横方向 ,  光起電力 ,  低温