文献

J-GLOBAL ID：201702258172835721   整理番号：17A0389416

結晶方位と温度の関数としてのPIN PZ PMN PT単結晶の圧電特性とナノ分域構造の研究【Powered by NICT】

Investigation of piezoelectric property and nanodomain structures for PIN-PZ-PMN-PT single crystals as a function of crystallographic orientation and temperature

著者 (6件)： He Wenhui (Department of Chemistry, Tsinghua University, Beijing 100084, China. [e-mail]) ,  Li Qiang ,  Sun Yue ,  Xi Xiaoqing ,  Zhang Yiling ,  Yan Qingfeng
資料名： Journal of Materials Chemistry C. Materials for Optical, Magnetic and Electronic Devices  (Journal of Materials Chemistry C. Materials for Optical, Magnetic and Electronic Devices)
巻： 5  号： 9  ページ： 2459-2465  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2383A  ISSN： 2050-7526  CODEN： JMCCCX  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Pb(In_1/2Nb_1/2)O_3PbZrO Pb(Mg_1/3Nb_2/3)O_3 PbTiO_3(PIN PZ PMN PT)四元系リラクサ強誘電体材料はIn~3+とZr~4+カチオンの導入によるABO_3格子における増強されたA-B反発強度のために高い強誘電相転移温度(T_FE FE>120°C)を有していた。これらの添加のために,室温で良好な熱安定性,優れた圧電特性(d_33[001]*=1820pm V~ 1)はPIN PZ PMN PT単結晶で観測された。極性ナノ領域(PNRs)の強い周波数分散(周波数~0.1 100kHz)と小短距離相関長(<ξ>~ 118 nm)はPMN-0.2PTリラクサ単結晶(<ξ>~ 210 nm)と比較してこれらの四成分系単結晶のリラクサ性質の高い度合いを示した。高リラクサ性はIn~3+とZr~4+カチオンに起因すると推測されるとPIN PZ PMN PT単結晶の優れた圧電応答の主な理由の一つと考えられている。さらに,斜方晶<011>分極を持つPNRは(011)表面上の変調効果,異方性ナノ分域構造をもたらした可能性がある。(011)表面上での分域スイッチングのための低い自由エネルギーは(001)表面,圧電応答ヒステリシスループと局所領域ポーリング挙動研究によって確認されたようにそれよりも必要であった。Copyright 2017 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *分域 ,  ポーリング ,  斜方晶系 ,  *単結晶 ,  リラクサ ,  熱安定性 ,  自由エネルギー ,  *結晶方位
準シソーラス用語： ヒステリシスループ ,  圧電応答 ,  周波数分散 ,  強誘電相転移 ,  *ナノドメイン ,  *圧電特性 ,  *PMN-PT , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 圧電気,焦電気,エレクトレット  (BM05040M) ,  塩基,金属酸化物  (CD01030Z)

タイトルに関連する用語 (8件)： 結晶方位 ,  温度の関数 ,  PMN ,  Pt ,  単結晶 ,  圧電特性 ,  分域構造 ,  研究