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J-GLOBAL ID：201702259089009290   整理番号：17A0474433

新しい安定な反強磁性半導体:逆ホイスラー化合物Ti_2CrSnの1例【Powered by NICT】

A new stable antiferromagnetic semiconductor: The case of inverse Heusler compound Ti₂CrSn

著者 (12件)： Li Jia (School of Science, Hebei University of Technology, Tianjin, 300401, China) ,  Li Jia (Research Institute for Energy Equipment Materials, Hebei University of Technology, Tianjin, 300401, China) ,  Zhang Qiang (School of Science, Hebei University of Technology, Tianjin, 300401, China) ,  Li Jie (School of Science, Hebei University of Technology, Tianjin, 300401, China) ,  Yang Guang (School of Science, Hebei University of Technology, Tianjin, 300401, China) ,  Ma Hongran (School of Science, Hebei University of Technology, Tianjin, 300401, China) ,  Zhou Guoxiang (School of Science, Hebei University of Technology, Tianjin, 300401, China) ,  Lu Zunming (Research Institute for Energy Equipment Materials, Hebei University of Technology, Tianjin, 300401, China) ,  Fang Wei (Research Institute for Energy Equipment Materials, Hebei University of Technology, Tianjin, 300401, China) ,  Xie Hongxian (Research Institute for Energy Equipment Materials, Hebei University of Technology, Tianjin, 300401, China) ,  Liang Chunyong (Research Institute for Energy Equipment Materials, Hebei University of Technology, Tianjin, 300401, China) ,  Yin Fuxing (Research Institute for Energy Equipment Materials, Hebei University of Technology, Tianjin, 300401, China)
資料名： Intermetallics  (Intermetallics)
巻： 85  ページ： 149-155  発行年： 2017年 
JST資料番号： W0672A  ISSN： 0966-9795  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： L21相と逆ホイスラー化合物Tiの2CrSnを第一原理とBoltzmann輸送理論に基づく0.2eVの間接ギャップを持つ反強磁性半導体であると予測した。半導体特性は 6%から6%までの大歪内で安定であった。Cr,Ti-1とTiの2モーメントは,すべて 6%~6%の歪範囲内で線形変化挙動を示したが,全零モーメントであることを歪範囲内でロバストである。磁気トンネル接合素子に適用するための潜在的な候補であるべきである。全零モーメントはFermi準位以下のスピン方向上方および下方の両方のための完全に占有された9軌道に起因する。スピン依存3Dハイブリダイゼーション特徴は,上向きスピン状態のCrとTiの2間のハイブリダイゼーションが支配的である下向きスピン状態に対するTiの1とTi2間のハイブリダイゼーションが支配的であることが分かっているが,はCrとTi1間のハイブリダイゼーションの明確な指標ではない。スピンアップ(ダウン)方向のギャップの起源は,Cr-Ti2(Ti 1 Ti 2)の3DハイブリダイゼーションはFermi準位以下二縮退egと同様に三縮退t2g結合を形成し,またFermi準位より上の反結合状態を対応することである。ハイブリダイゼーション特性もCrとTiの2の間,およびTiの1とTiの2間の唯一の領域は強い相互作用を示唆する明瞭な電子蓄積を示すことを電子密度差から見ることができた。熱起電力因子の計算値はBi系2Te3のそれに近くにある,熱電分野への応用の可能性値を示した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 分子ハイブリダイゼーション ,  *チタン ,  縮退 ,  第一原理 ,  熱起電力 ,  Fermi準位 ,  *クロム ,  線形性 ,  *強磁性半導体 ,  三次元 ,  *半導体 ,  ロバスト性 ,  電子密度
準シソーラス用語： スピン状態 ,  磁気トンネル接合 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 磁気的性質  (WB02020J)

タイトルに関連する用語 (2件)： 強磁性半導体 ,  ホイスラー化合物