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J-GLOBAL ID：201702261780265914   整理番号：17A0366019

PbTiO_3ベース強誘電体薄膜の分域再配向誘起分極ウェークアップ【Powered by NICT】

Domain-reorientation-induced polarization wake-up of PbTiO₃ based ferroelectric thin films

著者 (6件)： Zhang Linxing (Department of Physical Chemistry, University of Science and Technology Beijing, Beijing, 100083 China) ,  Chen Jun (Department of Physical Chemistry, University of Science and Technology Beijing, Beijing, 100083 China) ,  Zhang Jie (Institute of High Energy Physics, Chinese Academy of Sciences, Beijing, 100049 China) ,  Wang Huanhua (Institute of High Energy Physics, Chinese Academy of Sciences, Beijing, 100049 China) ,  Xu Lirong (Institute of Advanced Materials and Technology, University of Science and Technology Beijing, Beijing, 100083 China) ,  Xing Xianran (Department of Physical Chemistry, University of Science and Technology Beijing, Beijing, 100083 China)
資料名： Ceramics International  (Ceramics International)
巻： 42  号： 16  ページ： 19212-19217  発行年： 2016年 
JST資料番号： H0705A  ISSN： 0272-8842  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 普遍的欠陥に関連する,ロバスト強誘電体膜は技術的応用において実行可能であることを標準の矩形分極ヒステリシスループが必要である。PbTiO_3Bi(Mg_1/2Ti_1/2)O_3系強誘電性薄膜の分極は異常にwakedまでであり,標準ヒステリシスループが得られることを実証した。最初である分極ウェークアップの起源,同時に圧電応答力顕微鏡測定に対応するである高分解能シンクロトロンX線回折による領域画分の再配向を直接観察する時間。偏光若返りもポーリングサイクルと欠陥濃度により系統的に制御することができ,これは欠陥の再配列に関係している。本研究では,強誘電体薄膜における欠陥活性と分域発展の物理を理解するために画像を提供し,安定な分極を必要とする応用のための強誘電体の最適化を促進した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： *再配向 ,  偏光 ,  *分極 ,  *強誘電体 ,  ロバスト性 ,  最適化 ,  高分解能 ,  *分域
準シソーラス用語： 再配列 ,  放射光X線回折 ,  圧電応答力顕微鏡 ,  ヒステリシスループ ,  分極ヒステリシス ,  *強誘電体薄膜 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 欠陥 ,  Perovskites ,  強誘電特性 ,  Films ,  ゾル-ゲル過程

分類 (2件)： 強誘電体,反強誘電体,強弾性  (BM05030B) ,  セラミック・磁器の性質  (YC03030G)

タイトルに関連する用語 (6件)： 強誘電体薄膜 ,  分域 ,  再配向 ,  誘起 ,  分極 ,  ウェーク