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J-GLOBAL ID：201702261790095017   整理番号：17A0462113

Bridgman成長したCdZnTe検出器におけるIn,Al,Ni,Snドーパントに起因する点欠陥の解析と電荷キャリアのトラッピングに及ぼすその影響

An analysis of point defects induced by In, Al, Ni, and Sn dopants in Bridgman-grown CdZnTe detectors and their influence on trapping of charge carriers

著者 (3件)： Gul R. (Brookhaven National Laboratory, Upton, New York 11973, USA) ,  Roy U. N. (Brookhaven National Laboratory, Upton, New York 11973, USA) ,  James R. B. (Brookhaven National Laboratory, Upton, New York 11973, USA)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 121  号： 11  ページ： 115701-115701-8  発行年： 2017年03月21日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： Bridgman法 ,  *カドミウム化合物 ,  *テルル化物 ,  *亜鉛化合物 ,  *放射線検出器 ,  インジウム ,  アルミニウム ,  ニッケル ,  スズ ,  ドーパント ,  *点欠陥 ,  *キャリア ,  *イオントラッピング ,  空孔欠陥 ,  電気抵抗率 ,  キャリア移動度 ,  キャリア寿命 ,  捕獲中心 ,  深準位過渡分光法 ,  空格子点 ,  電子正孔対 ,  *電荷キャリア ,  電子トラップ ,  電子移動度 ,  *テルル化亜鉛カドミウム
準シソーラス用語： 抵抗率 ,  *テルル化カドミウム亜鉛

分類 (2件)： 放射線検出・検出器  (AD08020J) ,  半導体の格子欠陥  (BK12040Q)

タイトルに関連する用語 (12件)： 成長 ,  CdZnTe ,  検出器 ,  Al ,  Ni ,  Sn ,  ドーパント ,  起因 ,  点欠陥 ,  解析 ,  電荷キャリア ,  トラッピング