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J-GLOBAL ID：201702261822922650   整理番号：17A0449043

高透明Au/ITO p型電極を用いたAlGaInP発光ダイオードの光出力の改善【Powered by NICT】

Improvement of the light output of AlGaInP-based light-emitting diode by employing highly transparent Au/ITO p-type electrode

著者 (6件)： Choi Byoungjun (Department of Nanophotonics, Korea University, Seoul 02841, South Korea) ,  Kim Dae-Hyun (Department of Nanophotonics, Korea University, Seoul 02841, South Korea) ,  Kang Daesung (Department of Nanophotonics, Korea University, Seoul 02841, South Korea) ,  Kang Daesung (LED Division, LG Innotek Co., Ltd., Paju, Gyeonggi 10842, South Korea) ,  Seong Tae-Yeon (Department of Nanophotonics, Korea University, Seoul 02841, South Korea) ,  Seong Tae-Yeon (Department of Materials Science and Engineering, Korea University, Seoul 02841, South Korea)
資料名： Journal of Alloys and Compounds  (Journal of Alloys and Compounds)
巻： 699  ページ： 1180-1185  発行年： 2017年 
JST資料番号： D0083A  ISSN： 0925-8388  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： AlGaInPを基材とする発光ダイオード(LED)のP型GaP窓層上に高度に透明で低抵抗Au/ITO Ohm接触の開発について報告する。400°Cでアニールすると,Au/ITO(20/40 nm)接触は4.4×10~ 4Ωcm~2の比接触抵抗,従来AuBe/Au(130 nm/100 nm)接触のそれと同等であることを示した。617nmでは,AuBe/Au膜は不透明であったが,Au/ITO膜は63.3 92.8%の透過率を持っていた。Au/ITO膜は1.4 5.1Ω/sqの低シート抵抗を示した。Au/ITO電極を用いて作製したLEDは,20mAで2.07 2.18の順方向電圧を与えた,これはAuBe/Au接触(2.06 V)のそれに匹敵した。Au/ITO電極を有するLEDはAuBe/Au電極を用いた場合よりも100mAで9.8 46.1%高い光出力パワーを示した。X線光電子分光(XPS)および走査型透過電子顕微鏡(STEM)の結果に基づいて,アニーリングによって誘起される電気的改善を記述し,議論した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 焼なまし ,  リン化ガリウム ,  *発光ダイオード ,  Ohm接触 ,  電圧 ,  透過率 ,  X線光電子分光法 ,  シート抵抗 ,  *光出力 ,  *リン化アルミニウムガリウムインジウム
準シソーラス用語： ITO電極 ,  比接触抵抗 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： Au/ITO ,  透明性 ,  Ohm接触 ,  発光ダイオード ,  電極

分類 (2件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  金属薄膜  (BK14030T)

タイトルに関連する用語 (5件)： Au ,  ITO ,  AlGaInP ,  発光ダイオード ,  光出力