文献

J-GLOBAL ID：201702261909549499   整理番号：17A0124419

4H-SiC金属-酸化物-半導体デバイスのための酸化物絶縁体と遷移層における電荷トラップにおけるNOアニール処理の効果【Powered by NICT】

Effect of NO annealing on charge traps in oxide insulator and transition layer for 4H-SiC metal-oxide-semiconductor devices

著者 (13件)： Jia Yifan (School of Microelectronics, Xidian University) ,  Lv Hongliang (School of Microelectronics, Xidian University) ,  Niu Yingxi (Global Energy Interconnection Research Institute) ,  Li Ling (Global Energy Interconnection Research Institute) ,  Song Qingwen (School of Microelectronics, Xidian University) ,  Tang Xiaoyan (School of Microelectronics, Xidian University) ,  Li Chengzhan (Zhuzhou CRRC Times Electric Company Limited) ,  Zhao Yanli (Zhuzhou CRRC Times Electric Company Limited) ,  Xiao Li (Zhongxing Telecommunication Equipment Corporation) ,  Wang Liangyong (Zhongxing Telecommunication Equipment Corporation) ,  Tang Guangming (Zhongxing Telecommunication Equipment Corporation) ,  Zhang Yimen (School of Microelectronics, Xidian University) ,  Zhang Yuming (School of Microelectronics, Xidian University)
資料名： Chinese Physics B  (Chinese Physics B)
巻： 25  号： 9  ページ： 097101-1-097101-5  発行年： 2016年 
JST資料番号： W1539A  ISSN： 1674-1056  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： n型4H-SiC金属-酸化物-半導体(MOS)デバイスにおける酸化物絶縁体と遷移層における電荷トラップに及ぼすアニーリング酸化窒素(NO)の影響を時間依存バイアスストレス(TDBS),容量-電圧(C V),および二次イオン質量分光法(SIMS)を用いて調べた。電荷トラップの二つの主要なカテゴリー,界面酸化物トラップ(N(niot))と酸化物トラップ(N(OT))で,NOアニールとArアニール薄膜試料におけるTDBSとC-V特性への異なる応答を示すことを明らかにした。N(niot)は主に双方向C-V特性に起こるヒステリシス,半導体界面に非常に近いに関与し,内部半導体と電荷を交換できる。しかし,N(OT)は主にTDBS誘導C-Vシフトの原因である。N(OT)への電子トンネリングをはほとんど迅速に放出されるTDBSを受け,しきい値電圧安定性の問題が生じた。アルゴンアニール試料と比較して,N(niot)はNOアニーリングによって有意に抑制できるが,N(OT)の改善はほとんど無い。SIMSの結果はN(niot)は,遷移層,これは過剰けい素の存在と相関に分布していることを示した。NOアニーリング過程で,過剰Si原子は遷移層における窒素に取り込まれ,界面歪のより良い緩和を可能にし,遷移層の幅とN(niot)の密度を効果的に減少させる。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： ヒステリシス ,  時間依存性 ,  *炭化ケイ素 ,  界面 ,  *焼なまし ,  *絶縁材料 ,  アルゴン ,  *半導体 ,  *酸化物 ,  酸化窒素 ,  窒素 ,  *絶縁体
準シソーラス用語： 電圧安定性 ,  *電荷捕獲 ,  *遷移層 ,  *4H-SiC , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： 4H-SiC金属-酸化物-半導体デバイス ,  アニーリング ,  近界面酸化物トラップ ,  酸化物トラップ

分類 (2件)： ダイオード  (NC03050R) ,  半導体のルミネセンス  (BM08092S)

タイトルに関連する用語 (8件)： 4H-SiC ,  酸化物 ,  半導体デバイス ,  絶縁体 ,  遷移層 ,  電荷トラップ ,  NO ,  アニール処理