文献

J-GLOBAL ID：201702262000719130   整理番号：17A0442450

マグネシウムの腐食に及ぼす結晶方位の影響:電気化学的インピーダンスとRaman分光法を用いた膜形成と裸の結晶ファセットの比較【Powered by NICT】

Effect of Crystallographic Orientation on the Corrosion of Magnesium: Comparison of Film Forming and Bare Crystal Facets using Electrochemical Impedance and Raman Spectroscopy

著者 (3件)： Bland Leslie G. (Department of Materials Science and Engineering, University of Virginia, Charlottesville, VA 22904, USA) ,  Gusieva K. (Department of Materials Science and Engineering, University of Virginia, Charlottesville, VA 22904, USA) ,  Scully J.R. (Department of Materials Science and Engineering, University of Virginia, Charlottesville, VA 22904, USA)
資料名： Electrochimica Acta  (Electrochimica Acta)
巻： 227  ページ： 136-151  発行年： 2017年 
JST資料番号： B0535B  ISSN： 0013-4686  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Mgの腐食速度は酸化膜厚さと負に相関することが塩化物を含む,アルカリ性環境における強い結晶学的依存性を示した。対照的に,異なる結晶学的方位依存性は最初に,緩衝中性pH付近で,トリス(ヒドロキシメチル)アミノメタン(トリス)とエチレンジアミン四酢酸のようなキレート環境(EDTA)空気MgO酸化物を最小化を含む無塩化物における開回路腐食中に観察された。結晶学的方位の関数として結合した腐食過程の速度の違いの起源を,電気化学インピーダンス分光法(EIS)及びRaman振動分光法を利用して研究した。高周波数定数相要素(CPE)は,結晶方位の関数として酸化物の厚さを決定するために利用した。非緩衝NaCl中で,開回路腐食した基底面上でより速くより低い腐食速度は低指数,プリズム面およびピラミッド面上に観察された。0.6M NaCl中の結晶学的方位と速度のこの変化は,方位の関数としてのMgOとMg(OH)2膜の厚みに依存していると解釈された。特に,低いMgO/Mg(OH)2厚さの結晶面をEISによりその場評価し,Raman分光法により示唆されるように高い速度で腐食した。腐食の結晶方位依存性は緩衝中性pH環境裸のMgの結晶ファセット表面エネルギーに対応した曝露に最初に見られるが,この傾向は曝露時間と共に消失し,Mg(OH)2膜を検出した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： *Raman分光法 ,  *結晶方位 ,  表面エネルギー ,  *結晶 ,  開路 ,  *電気化学 ,  *ファセット ,  結晶面 ,  *腐食 ,  *インピーダンス ,  塩化ナトリウム ,  酸化マグネシウム ,  腐食速度 ,  *マグネシウム
準シソーラス用語： 電気化学インピーダンス分光法 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： crystallography ,  マグネシウム ,  電気化学インピーダンス分光法 ,  表面エネルギー ,  電子後方散乱回折

分類 (2件)： 電極過程  (CB07040U) ,  電気化学反応  (CB07050F)

タイトルに関連する用語 (9件)： マグネシウム ,  腐食 ,  結晶方位 ,  電気化学 ,  インピーダンス ,  Raman分光法 ,  膜形成 ,  結晶 ,  ファセット