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J-GLOBAL ID：201702262017026437   整理番号：17A0196217

硅過渡層/ダイヤモンド/ダイヤモンド複合膜の調製に基づく調製法を紹介した。【JST・京大機械翻訳】

Preparation of nano-diamond films on GaN with a Si buffer layer

著者 (6件)： Liu Jinlong (Institute for Advanced Materials and Technology,University of Science and Technology Beijing) ,  Tian Hanmei (Institute for Advanced Materials and Technology,University of Science and Technology Beijing) ,  Chen Liangxian (Institute for Advanced Materials and Technology,University of Science and Technology Beijing) ,  Wei Junjun (Institute for Advanced Materials and Technology,University of Science and Technology Beijing) ,  Hei Lifu (Institute for Advanced Materials and Technology,University of Science and Technology Beijing) ,  Li Chengming (Institute for Advanced Materials and Technology,University of Science and Technology Beijing)
資料名： Xinxing Tan Cailiao  (Xinxing Tan Cailiao)
巻： 31  号： 5  ページ： 518-524  発行年： 2016年 
JST資料番号： W1529A  ISSN： 1007-8827  CODEN： XTCAFT  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,GAN基板上に直接ダイヤモンド膜を成長させるための簡便で効率的な方法を開発した。研究によると、直接GAN基板を水素プラズマ中に暴露すると5MINで分解が起こり、しかも温度が560°Cから680°Cに上昇するにつれ、この分解反応は激しくなり、GAN基板上に直接結合力の良いナノダイヤモンド膜を形成することは困難である。GAN基板上に制几納米層の厚さを調整することにより、高水素ダイヤモンドの成長環境下で、GAN基質の分解を抑制し、同時にGAN基板上に約2ΜM厚のナノダイヤモンド膜を堆積させた。硅過渡層の厚さは,ダイヤモンドとGAN基板の結合力を決定する主要因である。硅過渡層の厚さが10NMのとき,ナノダイヤモンド膜とGAN基板は10N以上の結合力を示し,ダイヤモンドの成長過程におけるSIC層の転移に関係する可能性がある。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 成長段階 ,  *複合膜 ,  水素 ,  基質 ,  *ダイヤモンド ,  分解反応
準シソーラス用語： ナノダイヤモンド ,  水素プラズマ ,  ダイヤモンド膜 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： GaN ,  Si buffer layer ,  Nano-diamond film ,  Direct growth ,  Decomposition

分類 (4件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (4件)： ダイヤモンド ,  複合膜 ,  調製 ,  調製法