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J-GLOBAL ID：201702262082280978   整理番号：17A0148588

低電力UWB-IR用のガラス上でフリップされたCMOSによるパルス発生器の設計,解析及び実装

Design, Analysis and Implementation of Pulse Generator by CMOS Flipped on Glass for Low Power UWB-IR

著者 (8件)： KANJANAVIROJKUL Parit (Dept. of Electrical Engineering and Information Systems, The University of Tokyo) ,  NGOC MAI-KHANH Nguyen (VLSI Design and Education Center (VDEC), The University of Tokyo) ,  IIZUKA Tetsuya (Dept. of Electrical Engineering and Information Systems, The University of Tokyo) ,  IIZUKA Tetsuya (VLSI Design and Education Center (VDEC), The University of Tokyo) ,  NAKURA Toru (Dept. of Electrical Engineering and Information Systems, The University of Tokyo) ,  NAKURA Toru (VLSI Design and Education Center (VDEC), The University of Tokyo) ,  ASADA Kunihiro (Dept. of Electrical Engineering and Information Systems, The University of Tokyo) ,  ASADA Kunihiro (VLSI Design and Education Center (VDEC), The University of Tokyo)
資料名： IEICE Transactions on Fundamentals of Electronics, Communications and Computer Sciences (Web)  (IEICE Transactions on Fundamentals of Electronics, Communications and Computer Sciences (Web))
巻： E100.A  号： 1  ページ： 200-209(J-STAGE)  発行年： 2017年 
JST資料番号： U0466A  ISSN： 1745-1337  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では低デューティサイクルを有した低電力アプリケーションを目的としてガラス基板上でフリップされたCMOSによって実装されたパルス発生器を扱った。本パルス発生器は理論的にはF_maxに近い及び越えた周波数でパルスを生成する事が可能である。これはまた迅速な開始時間及びゼロスタンドバイ電力を特徴としている。単純化回路モデルを用いる事によって,パルス発生器のQ因子に対する解析式,エネルギー変換効率,出力エネルギー及び発振周波数を導出した。ガラス基板上の伝送線共振器上でフリップされた0.18μmCMOSチップ上でパルス発生器プロトタイプを設計した。2つの異なったプロトタイプの計測結果は提案回路及び解析モデルの実用性を確認した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *パルス発生器 ,  *広帯域 ,  *CMOS ,  稼働率 ,  エネルギー効率 ,  半導体素子 ,  解析モデル ,  *通信方式
準シソーラス用語： フリップチップデバイス ,  *UWBIR ,  デューティサイクル

著者キーワード (6件)： pulse generation ,  UWB-IR ,  CMOS ,  low duty cycle ,  energy efficiency ,  flip-chip devices

分類 (3件)： 半導体集積回路  (NC03162T) ,  信号理論  (ND02020G) ,  無線通信一般  (ND08010L)

引用文献 (11件)：

• [1] Federal Communications Commission, “First report and order, revision of part 15 of the commission's rules regarding ultra-wideband transmission systems,” V48, April, 2002.
• [2] F. Padovan, A. Bevilacqua, and A. Neviani, “A 20Mb/s, 2.76pJ/b UWB impulse radio TX with 11.7% efficiency in 130nm CMOS,” Proc. 40th European Solid State Circuits Conference (ESSCIRC), pp.287-290, 2014.
• [3] M. Shen, Y.-Z. Yin, H. Jiang, T. Tian, and J.H. Mikkelsen, “A 3-10GHz IR-UWB CMOS pulse generator with 6mW peak power dissipation using a slow-charge fast-discharge technique,” IEEE Microw. Compon. Lett., vol.24, no.9, pp.634-636, Sept. 2014.
• [4] A. Oncu, B.B.M.W. Badalawa, and M. Fujishima, “22-29GHz ultra-wideband CMOS pulse generator for short-range radar applications,” IEEE J. Solid-State Circuits, vol.42, no.7, pp.1464-1471, July 2007.
• [5] A. Siligaris, N. Deparis, R. Pilard, D. Gloria, C. Loyez, N. Rolland, L. Dussopt, J. Lanteri, R. Beck, and P. Vincent, “A 60GHz UWB impulse radio transmitter with integrated antenna in CMOS65nm SOI technology,” 2011 IEEE 11th Topical Meeting on Silicon Monolithic Integrated Circuits in RF Systems, pp.153-156, 2011.

タイトルに関連する用語 (9件)： 低電力 ,  UWB ,  Ir ,  ガラス ,  CMOS ,  パルス発生器 ,  設計 ,  解析 ,  実装