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J-GLOBAL ID：201702262249774057   整理番号：17A0267882

BI_2SE_3薄膜とPBドーピング電子構造変化の第一原理【JST・京大機械翻訳】

First-Principles Investigation on Electronic Structure of Bi_2Se_3 Thin Film and the Films Doped with Pb

著者 (5件)： Chen Lei (China University of Mining and Technology (Xuzhou)) ,  Zhu Yabo (China University of Mining and Technology (Xuzhou)) ,  Li Yanling (Jiangsu Normal University) ,  Fan Heliang (China University of Mining and Technology (Xuzhou)) ,  He Zhanjun (China University of Mining and Technology (Xuzhou))
資料名： Xiyou Jinshu Cailiao yu Gongcheng  (Xiyou Jinshu Cailiao yu Gongcheng)
巻： 45  号： 11  ページ： 2809-2813  発行年： 2016年 
JST資料番号： W0563A  ISSN： 1002-185X  CODEN： XJCGEA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 第一原理平面波擬ポテンシャル法を用いて、バルクから薄膜へのBI_2SE_3の電子構造変化特性を研究した。材料の原子位置および電子間相互作用を分析することにより,バルク,二重層および単層薄膜および単層PBドープ薄膜のバンド構造,状態密度などを具体的に検討した。計算結果によると、これらの材料の価電子価と伝導帯は主に原子のP状態からなり、同時にBI(PB)の6S軌道の頂端の影響により、それらのバンドギャップタイプは材料構造の変化に従い、直接バンドギャップから間接バンドギャップへの転移が発生する。またPBドープ単層薄膜で生じたSE(1’)層はその電子構造の変化に重要な影響を与えた。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 単一層 ,  価電子 ,  *電子構造 ,  *ドーピング ,  *第一原理 ,  伝導バンド ,  e-e相互作用 ,  平面波 ,  *薄膜 ,  状態密度 ,  擬ポテンシャル法
準シソーラス用語： 間接バンドギャップ ,  直接バンドギャップ ,  二重層 ,  *構造変化 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： Bi_2Se_3 film ,  Pb dopant ,  energy bands ,  density of states

分類 (5件)： その他の無機化合物の磁性  (BM06060P) ,  その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A) ,  半導体結晶の電子構造  (BM02060N) ,  光物性一般  (BM08010A) ,  その他の無機化合物の電気伝導  (BM03044O)

タイトルに関連する用語 (5件)： 薄膜 ,  Pb ,  ドーピング ,  電子構造 ,  第一原理