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J-GLOBAL ID：201702262828436736   整理番号：17A1619437

リセスとフローティングバッファを裏面に備えたスナップバックのない逆導通IGBT

A snapback-free reverse conducting IGBT with recess and floating buffer at the backside

著者 (5件)： Xie Jia Qiang (Xi’an University of Technology and Department of Electronic Engineering) ,  Ma Li (Xi’an University of Technology and Department of Applied Physics) ,  Li Wei (Xi’an University of Technology and Department of Applied Physics) ,  Gao Yong (Xi’an University of Technology and Department of Electronic Engineering) ,  Yu Ning Mei (Xi’an University of Technology and Department of Electronic Engineering)
資料名： IEICE Electronics Express (Web)  (IEICE Electronics Express (Web))
巻： 14  号： 17  ページ： 20170677(J-STAGE)  発行年： 2017年 
JST資料番号： U0039A  ISSN： 1349-2543  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本稿では,逆導通絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(RC-IGBT)のスナップバック現象を緩和する2つの新しい方法を提案した。その手段として,裏面に軽くドープしたP型フローティング層とリセス構造を有するフローティングフィールドストップ層を導入した。フローティングフィールドストップ層を,N型ドリフト領域に埋め込み,P⁺アノード領域の数μm上方に位置するようにした。これによってブロッキング能力を低下させることなくスナップバック現象を効果的に抑制できるようになった。コレクタの長さを100μm以上にしたとき,p型フローティング層を有するフローティングフィールドストップRC-IGBTのスナップバック電圧ΔV_SBを0.5V未満にすることができた。さらに,裏面のリセス構造によってN⁺ショート領域とP⁺アノード領域を分離することができた。それはスナップバックを無くすために役立つと考えられる。最後に,裏面にフローティングバッファ層とリセスを備えたRC-IGBTを提案した。N⁺ショート領域とP⁺アノード間の酸化物トレンチを特徴とするRC-IGBTと比べると,提案のRC-IGBTでは,単純なリセス構造を利用して高価な酸化物トレンチを置き換え,同時に同一の性能を実現できた。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： 素子構造 ,  バッファ層 ,  *現象 ,  *IGBT ,  半導体素子 ,  ダイオード ,  リセス構造
準シソーラス用語： *スナップバック ,  パワーデバイス ,  バイパスダイオード

著者キーワード (4件)： floating field stop ,  IGBT ,  reverse-conducting ,  recess

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

引用文献 (16件)：

• [1] M. Antoniouet al.: “The semi-superjunction IGBT,” IEEE Electron Device Lett. 31 (2010) 591 (DOI: 10.1109/LED.2010.2046132).
• [2] H. Fenget al.: “A new fin p-body insulated gate bipolar transistor with low miller capacitance,” IEEE Electron Device Lett. 36 (2015) 591 (DOI: 10.1109/LED.2015.2426197).
• [3] M. Antoniouet al.: “Novel approach toward plasma enhancement in trench-insulated gate bipolar transistors,” IEEE Electron Device Lett. 36 (2015) 823 (DOI: 10.1109/LED.2015.2433894).
• [4] H. Takahashi, et al.: “1200 V reverse conducting IGBT,” Proc. ISPSD (2004) 133 (DOI: 10.1109/WCT.2004.239844).
• [5] M. Rahimo, et al.: “The Bi-mode insulated gate transistor a potential technology for higher power applications,” Proc. ISPSD (2009) 283 (DOI: 10.1109/ISPSD.2009.5158057).

タイトルに関連する用語 (4件)： バッファ ,  スナップバック ,  導通 ,  IGBT