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J-GLOBAL ID：201702262858907797   整理番号：17A0204230

薄膜太陽電池のための湿式化学エッチングしたガラス基板上の高ヘイズテクスチャ表面BドープZnO TCO膜【Powered by NICT】

High haze textured surface B-doped ZnO-TCO films on wet-chemically etched glass substrates for thin film solar cells

著者 (6件)： Chen Xinliang (Institute of Photo-Electronic Thin Film Devices and Technology, Nankai University) ,  Liu Jieming (Institute of Photo-Electronic Thin Film Devices and Technology, Nankai University) ,  Fang Jia (Institute of Photo-Electronic Thin Film Devices and Technology, Nankai University) ,  Chen Ze (Institute of Photo-Electronic Thin Film Devices and Technology, Nankai University) ,  Zhao Ying (Institute of Photo-Electronic Thin Film Devices and Technology, Nankai University) ,  Zhang Xiaodan (Institute of Photo-Electronic Thin Film Devices and Technology, Nankai University)
資料名： Journal of Semiconductors  (Journal of Semiconductors)
巻： 37  号： 8  ページ： 083003-1-083003-7  発行年： 2016年 
JST資料番号： C2377A  ISSN： 1674-4926  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： クレータ状特徴サイズ 5 30μmの組織化ガラス基板はラウンドの治療(R)を調整することにより化学エッチング法を用いて得た。300 800nmの特徴サイズをもつピラミッド状ほう素をドープした亜鉛酸化物(ZnO:B)膜を,水,ジエチル亜鉛と1%水素希釈ジボランを用いた有機金属化学蒸着(MOCVD)法によってエッチング処理したガラス基板上に堆積した。マイクロ/ナノ二重組織でエッチしたガラス上のZnO:B膜は平坦なガラス上に通常のZnO:Bよりも遥かに強い光散乱能力を示し,それらの電気的性質はほとんど変化しなかった。典型的なエッチング処理したガラス3R/ZnO:Bは~160nmの高い根平均二乗(RMS)粗さを示した。エッチング処理したガラス3R/ZnO:B試料のための550nmと850nmの波長におけるヘイズ値は61%と42%であった。最後に最適化したエッチング処理したガラス/ZnO:Bはシリコン(Si)ベース薄膜太陽電池に適用した。高ヘイズエッチング処理したガラス/ZnO:B基板は薄膜太陽電池のための潜在的な利点を持っている。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 最適化 ,  MOCVD ,  *酸化亜鉛 ,  *エッチング ,  クレータ ,  波長 ,  *ガラス ,  ジボラン ,  *ドーピング ,  角錐
準シソーラス用語： *ヘイズ ,  *ガラス基板 ,  *化学エッチング ,  *薄膜太陽電池 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： semiconductors ,  表面 ,  薄膜 ,  結晶成長 ,  光学的性質

分類 (2件)： 太陽電池  (NC03084O) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

物質索引 (1件)： ジエチル亜鉛

タイトルに関連する用語 (8件)： 薄膜太陽電池 ,  化学エッチング ,  ガラス基板 ,  ヘイズ ,  テクスチャ ,  ドープ ,  ZnO ,  TCO