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J-GLOBAL ID：201702265982063792   整理番号：17A0550003

サファイア基板上GaN分極超接合(PSJ)FETを用いた1200V/100A級モジュール

著者 (9件)： 八木修一 (パウデック) ,  平田祥子 (パウデック) ,  斉藤武尊 (パウデック) ,  神山祐輔 (パウデック) ,  中村文彦 (パウデック) ,  河合弘治 (パウデック) ,  田中敦之 (名大 未来材料・システム研) ,  本田善央 (名大 未来材料・システム研) ,  天野浩 (名大 未来材料・システム研)
資料名： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
巻： 64th  ページ： ROMBUNNO.16a-P4-23  発行年： 2017年03月01日 
JST資料番号： Y0054B  ISSN： 2436-7613  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： 基板 ,  *窒化ガリウム ,  *分極 ,  *半導体接合 ,  *接合形FET ,  *電流電圧特性 ,  *スイッチング ,  静特性 ,  オン抵抗 ,  サファイア基板 ,  電流コラプス
準シソーラス用語： 分極超接合

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (6件)： サファイア基板 ,  GaN ,  分極 ,  超接合 ,  FET ,  モジュール