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J-GLOBAL ID：201702266271338821   整理番号：17A0562147

エレクトロニック応用の原子的精確なグラフェンナノリボンの一様な薄膜の界面自己集合

Interfacial Self-Assembly of Atomically Precise Graphene Nanoribbons into Uniform Thin Films for Electronics Applications

著者 (8件)： SHEKHIREV Mikhail (Univ. Nebraska-Lincoln, Nebraska, USA) ,  VO Timothy H. (Univ. Nebraska-Lincoln, Nebraska, USA) ,  POUR Mohammad Mehdi (Univ. Nebraska-Lincoln, Nebraska, USA) ,  LIPATOV Alexey (Univ. Nebraska-Lincoln, Nebraska, USA) ,  MUNUKUTLA Siddhanth (Univ. Illinois, Illinois, USA) ,  LYDING Joseph W. (Univ. Illinois, Illinois, USA) ,  SINITSKII Alexander (Univ. Nebraska-Lincoln, Nebraska, USA) ,  SINITSKII Alexander (National Univ. Sci. and Technol. “MISIS”, Moscow, RUS)
資料名： ACS Applied Materials & Interfaces  (ACS Applied Materials & Interfaces)
巻： 9  号： 1  ページ： 693-700  発行年： 2017年01月11日 
JST資料番号： W2329A  ISSN： 1944-8244  CODEN： AAMICK  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 非機能化原子的精確なグラフェンナノリボン(GNR)の大規模一様薄膜の新しい作成法を提案した。この方法では,クロロスルホン酸(CSA)におけるグラフェンの異例な溶解性,と界面自己集合法を利用する。初めに,CSA中でのGNRの溶解度を調べ,従来の報告値より遥かに高い濃度まで可能であることを確認した。また,エッジ-オン配位での水-空気界面でπ-π積層によりGNRが自己集合することを実証した。膜厚はCSA中のGNRの濃度で調節でき,単一GNR厚の一様な膜が常に得られる。この膜をSi/SiO₂を含む諸基板に転写すると,GNRをベースにした電界効果トランジスタアレイのストリームライン製作に利用できる。

シソーラス用語： *グラフェン ,  ナノ構造 ,  リボン結晶 ,  均一性 ,  *スルホン酸 ,  *自己組織化 ,  溶解度 ,  *気液界面 ,  水 ,  積層構造 ,  膜厚 ,  *転写 ,  FET【トランジスタ】 ,  *半導体薄膜
準シソーラス用語： クロロスルホン酸 ,  ナノリボン ,  電界効果トランジスタ

分類 (1件)： 液-気界面  (CB12020U)

タイトルに関連する用語 (7件)： エレクトロニック ,  応用 ,  原子 ,  グラフェンナノリボン ,  薄膜 ,  界面 ,  自己集合