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J-GLOBAL ID：201702267505867967   整理番号：17A0345836

テーパ半導体レーザチップのフォトリソグラフィプロセスの研究【JST・京大機械翻訳】

Photoetching of Tapered Diode Laser Wafer

著者 (9件)： Li Jing (Institute of Laser Engineering,Beijing University of Technology) ,  Qiu Yuntao (Institute of Laser Engineering,Beijing University of Technology) ,  Cao Yinhua (Institute of Laser Engineering,Beijing University of Technology) ,  Wang Qing (Institute of Laser Engineering,Beijing University of Technology) ,  Yao Shun (Institute of Laser Engineering,Beijing University of Technology) ,  Xu Shangrui (Institute of Laser Engineering,Beijing University of Technology) ,  Qin Wenbin (Institute of Laser Engineering,Beijing University of Technology) ,  Liu Youqiang (Institute of Laser Engineering,Beijing University of Technology) ,  Wang Zhiyong (Institute of Laser Engineering,Beijing University of Technology)
資料名： Faguang Xuebao  (Faguang Xuebao)
巻： 37  号： 12  ページ： 1502-1506  発行年： 2016年 
JST資料番号： W1380A  ISSN： 1000-7032  CODEN： FAXUEW  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： テーパ半導体レーザにおけるリッジの幅が小さいという問題に対して、半導体レーザーチップの製造におけるエッチング標識とエッチング方法について研究した。テーパ状半導体エッチングにおけるサブマイクロメータリブ領域とテーパ領域に対して、異なる精度の二重標識エッチング方法を採用して、導波路ととのエッチングにおける準問題を微細化し、レジストの約の異なる光刻版相の転位配列を微細化し、対応する光刻版の中で互いにオクルージョンする。反復エッチングでは,対応する光刻標が完全に,完全になることを保証した。エッチング後のチップは,電流が7Aのとき,中心波長が963NM,連続出力が4.026W,軸方向と軸方向のレーザビームパラメータがそれぞれ1.593MM MRADと0.668MM MRADのレーザ出力を得た。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 軸方向 ,  導波路 ,  オクルージョン ,  レーザ出力 ,  精密化 ,  電流 ,  エッチング ,  レジスト ,  波長 ,  *半導体 ,  *半導体レーザ
準シソーラス用語： *テーパ , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： tapered diode laser ,  ridge waveguide ,  photolithography alignment marks ,  wafer photoetching

分類 (1件)： 半導体レーザ  (BD04070L)

タイトルに関連する用語 (4件)： テーパ ,  半導体レーザ ,  フォトリソグラフィプロセス ,  研究