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J-GLOBAL ID：201702267510725556   整理番号：17A0226237

相関遷移と赤外光検出 原子層厚タイプII MoTe₂/MoS₂van der Waalsヘテロ構造における

Interlayer Transition and Infrared Photodetection in Atomically Thin Type-II MoTe₂/MoS₂ van der Waals Heterostructures

著者 (22件)： ZHANG Kenan (Shanghai Inst. of Technical Physics, Chinese Acad. of Sci., Shanghai, CHN) ,  ZHANG Tianning (Shanghai Inst. of Technical Physics, Chinese Acad. of Sci., Shanghai, CHN) ,  CHENG Guanghui (Univ. Sci. and Technol. of China, Anhui, CHN) ,  LI Tianxin (Shanghai Inst. of Technical Physics, Chinese Acad. of Sci., Shanghai, CHN) ,  WANG Shuxia (Shanghai Inst. of Technical Physics, Chinese Acad. of Sci., Shanghai, CHN) ,  WEI Wei (Shanghai Inst. of Technical Physics, Chinese Acad. of Sci., Shanghai, CHN) ,  ZHOU Xiaohao (Shanghai Inst. of Technical Physics, Chinese Acad. of Sci., Shanghai, CHN) ,  YU Weiwei (Shanghai Inst. of Technical Physics, Chinese Acad. of Sci., Shanghai, CHN) ,  SUN Yan (Shanghai Inst. of Technical Physics, Chinese Acad. of Sci., Shanghai, CHN) ,  WANG Peng (Shanghai Inst. of Technical Physics, Chinese Acad. of Sci., Shanghai, CHN) ,  ZHANG Dong (Inst. of Semiconductors, Chinese Acad. of Sci., Beijing, CHN) ,  ZENG Changgan (Univ. Sci. and Technol. of China, Anhui, CHN) ,  WANG Xingjun (Shanghai Inst. of Technical Physics, Chinese Acad. of Sci., Shanghai, CHN) ,  HU Weida (Shanghai Inst. of Technical Physics, Chinese Acad. of Sci., Shanghai, CHN) ,  FAN Hong Jin (Nanyang Technological Univ., Singapore, GBR) ,  SHEN Guozhen (Inst. of Semiconductors, Chinese Acad. of Sci., Beijing, CHN) ,  CHEN Xin (Shanghai Inst. of Technical Physics, Chinese Acad. of Sci., Shanghai, CHN) ,  DUAN Xiangfeng (Univ. California, California, USA) ,  CHANG Kai (Inst. of Semiconductors, Chinese Acad. of Sci., Beijing, CHN) ,  CHANG Kai (Univ. Sci. and Technol. of China, Anhui, CHN) ,  DAI Ning (Shanghai Inst. of Technical Physics, Chinese Acad. of Sci., Shanghai, CHN) ,  DAI Ning (Univ. Sci. and Technol. of China, Anhui, CHN)
資料名： ACS Nano  (ACS Nano)
巻： 10  号： 3  ページ： 3852-3858  発行年： 2016年03月 
JST資料番号： W2326A  ISSN： 1936-0851  CODEN： ANCAC3  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： MoTe₂/MoS₂van der Waals(vdW)ヘテロ構造のタイプII千鳥状バンド配置および波長約1.55μmの層間光学遷移を実証した。先ず,照明下のKelvinプローブ力顕微法(KPFM)および密度汎関数理論(DFT)シミュレーション,フォトルミネセンス(PL)分光を用いて,MoTe₂/MoS₂ vdWヘテロ構造間の光誘起電荷分離を確認した。更に,MoTe₂/MoS₂vdWヘテロ構造の光電気測定によって,赤外域(1550nm)で大きな光電流応答を観測した。本研究結果は,次世代赤外オプトエレクトロニクス設計に有用である。

シソーラス用語： *硫化モリブデン ,  テルル化物 ,  モリブデン化合物 ,  *バンド構造
準シソーラス用語： 二硫化モリブデン ,  *テルル化モリブデン ,  *ヘテロ構造

分類 (1件)： 光導電素子  (NC03083X)

タイトルに関連する用語 (7件)： 相関 ,  遷移 ,  赤外光 ,  原子 ,  層厚 ,  タイプ ,  ヘテロ構造