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J-GLOBAL ID：201702267580594834   整理番号：17A0028074

CMOSおよび炭素ナノチューブ技術における時間ベース・センサ・インタフェイス回路

Time-Based Sensor Interface Circuits in CMOS and Carbon Nanotube Technologies

著者 (7件)： Gielen Georges (KU Leuven, Leuven, Belgium) ,  Van Rethy Jelle (KU Leuven, Leuven, Belgium) ,  Marin Jorge (KU Leuven, Leuven, Belgium) ,  Shulaker Max M. (Stanford University, Stanford, CA, USA) ,  Hills Gage (Stanford University, Stanford, CA, USA) ,  Wong H.-S. Philip (Stanford University, Stanford, CA, USA) ,  Mitra Subhasish (Stanford University, Stanford, CA, USA)
資料名： IEEE Transactions on Circuits and Systems 1: Regular Papers  (IEEE Transactions on Circuits and Systems 1: Regular Papers)
巻： 63  号： 5  ページ： 577-586  発行年： 2016年 
JST資料番号： C0226B  ISSN： 1549-8328  CODEN： ITCSCH  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： コンパクトでエネルギー効率の高いシステムに向けての電子技術の発展は,斬新なシステム構成と新奇なデバイスの両者の開発での共同努力を必要とする。最近の発展は,時間ベース・センサ・インタフェイスが高度のディジタル構成をもたらし,高スケール技術ノードでの高度シリコンCMOSと適合することを示している。CMOS時間ベース・センサ・インタフェイスにおける進展は,新しい回路技術が性能とロバスト性の増大を援助できることを示している。更に,これらの構成は,電子技術におけるエネルギー消費を一層減らすことを約束する技術,炭素ナノチューブ技術で成功裏に実現された。加えて,CNTは,センサとして機能する優れた候補者であり,そして将来の自律-需要応用に対するセンサおよびセンサ・インタフェイスのエネルギー効率をもしかすると改善できる。本文は,スケーラブルでロバストな設計を許すCMOSおよびCNT技術において実現された時間ベース・センサ・インタフェイスの展望を示す。いくつかのCMOSおよびVLSI適合CNFETベース・センサ・インタフェイス回路を製作し,測定により検証し,これらの解決策の実現可能性を示した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST

シソーラス用語： *CMOS構造 ,  *カーボンナノチューブ ,  センサ ,  デバイスインタフェイス ,  超LSI ,  FET【トランジスタ】 ,  回路合成 ,  エネルギー効率
準シソーラス用語： *センサインタフェイス ,  炭素ナノチューブ ,  CNFET

分類 (1件)： 計測機器一般  (AD02000X)

タイトルに関連する用語 (3件)： CMOS ,  炭素ナノチューブ ,  インタフェイス回路