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J-GLOBAL ID：201702267609209016   整理番号：17A0736288

20W XバンドGAN MMICの研究【JST・京大機械翻訳】

Research and Complement on 20 W X-Band GaN MMIC

著者 (8件)： Zhang Zhiguo (The 13th Research Institute, CETC) ,  Wang Minjuan (The 13th Research Institute, CETC) ,  Feng Zhihong (The 13th Research Institute, CETC) ,  Zhou Ru (The 13th Research Institute, CETC) ,  Hu Zhifu (The 13th Research Institute, CETC) ,  Song Jianbo (The 13th Research Institute, CETC) ,  Li Jingqiang (The 13th Research Institute, CETC) ,  Cai Shujun (The 13th Research Institute, CETC)
資料名： Bandaoti Jishu  (Bandaoti Jishu)
巻： 34  号： 8  ページ： 821  発行年： 2009年 
JST資料番号： C2378A  ISSN： 1003-353X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： GANマイクロ波モノリシック集積回路(MMIC)は,高出力電圧,高出力,広帯域幅,低損失,高効率,小体積,および放射線の特性を持ち,多くの研究の焦点となっている。GAASマイクロ波パワーデバイスと異なり、ALGAN/GAN HEMTはより高いパワー密度を持つため、チップサイズを大幅に節約できる。それは,高いインピーダンス特性を持ち,回路の整合により有益である。電力増幅器は,その回路形式に基づいて,マイクロストリップ線路とマイクロストリップ回路の2つのタイプに分割され,本論文で開発したGAN MMICは,マイクロストリップ回路の形式を採用した。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： HEMT ,  電力増幅器 ,  *MMIC ,  マイクロストリップ線路 ,  マイクロ波 ,  広帯域 ,  半導体集積回路
準シソーラス用語： マイクロストリップ回路 ,  インピーダンス特性 ,  チップサイズ ,  電力密度 ,  パワーデバイス ,  高効率 ,  高出力 ,  出力電圧 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 増幅回路  (NC05040U) ,  トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (4件)： Xバンド ,  GaN ,  MMIC ,  研究