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J-GLOBAL ID：201702267789905219   整理番号：17A0417474

次世代EV/HEVのための0.80μsの界磁配向制御インテリジェントモータタイマと機能的安全性システムを用いた3.5A40nmフラッシュマイクロコントローラ【Powered by NICT】

3.5 A 40nm flash microcontroller with 0.80μs field-oriented-control intelligent motor timer and functional safety system for next-generation EV/HEV

著者 (12件)： Kimura Hayato (Renesas Electronics, Tokyo, Japan) ,  Noda Hideyuki (Renesas Electronics, Tokyo, Japan) ,  Watanabe Hisaaki (Renesas Electronics, Tokyo, Japan) ,  Higuchi Takashi (Renesas Electronics, Tokyo, Japan) ,  Kobayashi Ryosaku (Renesas System Design, Tokyo, Japan) ,  Utsuno Masayuki (Renesas Electronics, Tokyo, Japan) ,  Takami Fumitake (Renesas Electronics, Tokyo, Japan) ,  Otani Sugako (Renesas Electronics, Tokyo, Japan) ,  Ito Masayuki (Renesas Electronics, Tokyo, Japan) ,  Shimazaki Yasuhisa (Renesas Electronics, Tokyo, Japan) ,  Yada Naoki (Renesas Electronics, Tokyo, Japan) ,  Kondo Hiroyuki (Renesas Electronics, Tokyo, Japan)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： ISSCC  ページ： 58-59  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 電気Vehicle/Hybrid電気自動車(EV/HEV)技術は,低燃費自動車を実現するためにますます重要になっている。特に,電動機のエネルギー効率を最大化するが,電力および速度を向上させる高速半導体素子,マイクロコントローラ(MCU)とパワーデバイスなどを必要とする。しかし,EV/HEV用途に適した高速MCUは未だ報告されていないが,SiCデバイスのような魅力的なパワーデバイスは当たり前になってきている[1]。本論文では,インテリジェントモータタイマーシステム(IMTS)MCUアーキテクチャ,高速界磁指向制御(FOC)処理0.8μsと角度同調回路(ATC)を設計した。も自動車用[2]に必須である機能的安全機構を設計した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 半導体素子 ,  電気自動車 ,  計算機アーキテクチャ ,  エネルギー効率 ,  *界磁 ,  *マイクロコントローラ ,  自動車 ,  同調 ,  電力 ,  高速度 ,  *安全性 ,  炭化ケイ素 ,  電動機
準シソーラス用語： パワーデバイス ,  *配向制御 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 電力変換器  (NB08030B) ,  専用演算制御装置  (JC04030Y)

タイトルに関連する用語 (8件)： 次世代 ,  EV ,  HEV ,  界磁 ,  配向制御 ,  安全性 ,  フラッシュ ,  マイクロコントローラ