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J-GLOBAL ID：201702267903769051   整理番号：17A0264710

多結晶シリコンの配向熱凝固に及ぼす加熱器位置の影響【JST・京大機械翻訳】

Influence of Heater Position on Thermal Field of Directional Solidification for Multicrystalline Silicon

著者 (5件)： Luo Yufeng (School of Mechanical and Electronic Engineering, Nanchang University, Key Laboratory of University in Jiangxi for Silicon Materials) ,  Liu Jie (School of Mechanical and Electronic Engineering, Nanchang University) ,  Zhang Fayun (School of New Energy Science and Engineering,Xinyu College, Key Laboratory of University in Jiangxi for Silicon Materials) ,  Hu Yun (School of New Energy Science and Engineering,Xinyu College, Key Laboratory of University in Jiangxi for Silicon Materials) ,  Song Huawei (School of Mechanical and Electronic Engineering, Nanchang University)
資料名： Rejiagong Gongyi  (Rejiagong Gongyi)
巻： 45  号： 17  ページ： 82-84,90  発行年： 2016年 
JST資料番号： C2487A  ISSN： 1001-3814  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： 有限要素ソフトウェアソフトウェア4.3Aを用いて、多結晶シリコンの方向性凝固過程に対して大域的過渡シミュレーションを行い、多結晶シリコンの頂部加熱器とヒーターヒーターの垂直距離はそれぞれ60、300MMである。多結晶シリコンの融解および結晶化に及ぼすそれらの影響を解析した。結果は以下を示す。距離が60MMのとき,硅料熔化の所要時間は最も長いが,距離が150MMのとき,材料の融解時間は,それぞれ34,60分であった。結晶の初期の固液界面に対して、距離が60MMの時、固液界面は平面に近く、多結晶シリコン結晶の成長に有利であるが、距離が150MM、300MMの場合、固液界面はいずれも明らかな凸状を示し、後者は前者よりも大きい。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *結晶 ,  *加熱器 ,  結晶化 ,  凸形 ,  ターンアラウンド時間 ,  *ポリシリコン ,  固液界面 ,  *凝固
準シソーラス用語： 方向性凝固 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： multicrystalline silicon ,  thermal field ,  directional solidification ,  numerical simulation

分類 (1件)： 半導体の結晶成長  (BK13040X)

タイトルに関連する用語 (4件)： 多結晶シリコン ,  配向 ,  凝固 ,  加熱器