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J-GLOBAL ID：201702268061123350   整理番号：17A0544787

部分グラフェン懸濁液から作製した膜: 構造,電気的性質および微分負性抵抗

Films fabricated from partially fluorinated graphene suspension: structural, electronic properties and negative differential resistance

著者 (6件)： ANTONOVA Irina V (Rzhanov Inst. of Semiconductor Physics, RAS, Novosibirsk, RUS) ,  ANTONOVA Irina V (Novosibirsk State Univ., Novosibirsk, RUS) ,  KURKINA Irina I (Ammosov North-Eastern Federal Univ., Yakutsk, RUS) ,  NEBOGATIKOVA Nadezhda A (Rzhanov Inst. of Semiconductor Physics, RAS, Novosibirsk, RUS) ,  KOMONOV Alexander I (Rzhanov Inst. of Semiconductor Physics, RAS, Novosibirsk, RUS) ,  SMAGULOVA Svetlana A (Ammosov North-Eastern Federal Univ., Yakutsk, RUS)
資料名： Nanotechnology  (Nanotechnology)
巻： 28  号： 7  ページ： 074001,1-10  発行年： 2017年02月17日 
JST資料番号： W0108A  ISSN： 0957-4484  CODEN： NNOTER  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 液相グラフェン剥離の研究は2D材料の研究に大きく寄与している。また,微分負性抵抗(NDR)は非線形光学素子に使用される非Ohm電流-電圧特性である。本稿では,NDRに焦点をあてながら部分グラフェン懸濁液から作製した膜のバンド構造と電気的性質を分析した。構造研究から推論して,グラフェンの島(量子ドット)がこれらの膜中に形成されたことを示した。種々のNDRと電流のステップ様増加をこの膜で見出した。相対的に低フッ素化度で観察されたポテンシャル障壁を含む系の組成から得た実験的NDRは理論的予測に対応し,懸濁液のフッ素化度の増加とともにNDRが変化した。膜中のNDRの観察は剛性とフレキシブル基板上の2Dプリント技術を用いて作製した能動素子層を含むこのような膜の応用を拡張するであろう。

シソーラス用語： *グラフェン ,  *剥離 ,  *懸濁液 ,  *負性抵抗 ,  *結晶構造 ,  非線形光学 ,  Ohm接触 ,  電流電圧特性 ,  薄膜 ,  バンド構造 ,  フッ素化 ,  ポテンシャル障壁 ,  フレキシブル基板

分類 (3件)： 原子・分子のクラスタ  (BH09030O) ,  半導体結晶の電気伝導  (BM03043X) ,  結晶学一般  (BK05010Z)

タイトルに関連する用語 (6件)： グラフェン ,  懸濁液 ,  作製 ,  電気的性質 ,  微分 ,  負性抵抗