ANTONOVA Irina V について
Rzhanov Inst. of Semiconductor Physics, RAS, Novosibirsk, RUS について
ANTONOVA Irina V について
Novosibirsk State Univ., Novosibirsk, RUS について
KURKINA Irina I について
Ammosov North-Eastern Federal Univ., Yakutsk, RUS について
NEBOGATIKOVA Nadezhda A について
Rzhanov Inst. of Semiconductor Physics, RAS, Novosibirsk, RUS について
KOMONOV Alexander I について
Rzhanov Inst. of Semiconductor Physics, RAS, Novosibirsk, RUS について
SMAGULOVA Svetlana A について
Ammosov North-Eastern Federal Univ., Yakutsk, RUS について
Nanotechnology について
グラフェン について
剥離 について
懸濁液 について
負性抵抗 について
結晶構造 について
非線形光学 について
Ohm接触 について
電流電圧特性 について
薄膜 について
バンド構造 について
フッ素化 について
ポテンシャル障壁 について
フレキシブル基板 について
原子・分子のクラスタ について
半導体結晶の電気伝導 について
結晶学一般 について
グラフェン について
懸濁液 について
作製 について
電気的性質 について
微分 について
負性抵抗 について