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J-GLOBAL ID：201702268101526384   整理番号：17A0626162

TaO_xベースデバイスにおける閾値スイッチングの電気熱モデル

Electro-Thermal Model of Threshold Switching in TaOx-Based Devices

著者 (5件)： GOODWILL Jonathan M. (Carnegie Mellon Univ., Pennsylvania, USA) ,  SHARMA Abhishek A. (Carnegie Mellon Univ., Pennsylvania, USA) ,  LI Dasheng (Carnegie Mellon Univ., Pennsylvania, USA) ,  BAIN James A. (Carnegie Mellon Univ., Pennsylvania, USA) ,  SKOWRONSKI Marek (Carnegie Mellon Univ., Pennsylvania, USA)
資料名： ACS Applied Materials & Interfaces  (ACS Applied Materials & Interfaces)
巻： 9  号： 13  ページ： 11704-11710  発行年： 2017年04月05日 
JST資料番号： W2329A  ISSN： 1944-8244  CODEN： AAMICK  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： データを格納するための,より高速で,よりエネルギー効率がよく,空間効率のよい方法の必要性がますます高まっており,パッシブクロスバーメモリアレイへの関心が高まっている。本研究では,TiN/TaO_x/TiNデバイスのI-V特性に関する実験データを,ステージ温度とTaO_x膜の堆積条件の関数として提示した。TaO_xの異なる組成の準静的I-V特性は,デバイスと負荷抵抗の間の電力分配,熱と電流の流れを含む有限要素モデルによって実験的に測定され,シミュレートされた。電場および温度の関数としての電流密度は,短いパルスI-V測定から得られた。TaO_xにおける閾値スイッチングは,熱暴走プロセスによって十分に説明され,小径の熱フィラメントの形成をもたらすことが示された。熱暴走は,導電率が温度に強く依存することの直接的な結果であることが示された。

シソーラス用語： 酸化タンタル ,  *記憶装置 ,  スイッチング ,  電流電圧特性 ,  *条件 ,  *解析モデル ,  *フィラメント ,  *電気伝導率 ,  *FEMモデル
準シソーラス用語： メモリデバイス ,  I-V特性 ,  *成長条件 ,  *有限要素モデル ,  導電率

分類 (3件)： 半導体集積回路  (NC03162T) ,  酸化物薄膜  (BK14050P) ,  半導体と絶縁体の電気伝導一般  (BM03041P)

タイトルに関連する用語 (3件)： 閾値 ,  スイッチング ,  熱モデル