電力変換器における銅をドープしたSnO<sub>2</sub>(110)表面へのH<sub>2</sub>の吸着機構

WANG Feng; FAN Jingmin; SUN Qiuqin; JIANG Qinji; CHEN She; ZHOU Wu

文献

J-GLOBAL ID：201702268180518986 整理番号：17A0151857

電力変換器における銅をドープしたSnO₂(110)表面へのH₂の吸着機構

Adsorption Mechanism of Cu-Doped SnO₂ (110) Surface toward H₂ Dissolved in Power Transformer

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資料名：
巻： 2016 ページ： ROMBUNNO.3087491 (WEB ONLY) 発行年： 2016年
JST資料番号： U7011A ISSN： 1687-4110 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

水素の含有量は,電力変換器の状態評価と故障診断における重要な量である。密度汎関数理論(DFT)に基づいて,この研究では,CuをドープしたSnO₂表面のH₂への吸着機構が系統的に研究された。まず,純粋なドープとCuドープされたSnO₂の両方の緩和,結合長,およびオーバーラップポピュレーションが計算された。最適なドーピング位置を決定するために,4つの電位サイト(すなわち,Sn_5c,Sn_6c,Sn_5c-s,およびSn_6c-s)の形成エネルギーを互いに比較した。SnO₂表面の吸着エネルギーと電子構造を解析し詳細に議論した。さらに,部分原子電荷および電気伝導度を推定するために,Mulliken集団分析も実施した。ブリッジ酸素が最も好ましい位置であることが判明した。吸着後のH₂の部分密度はフェルミ準位に近づいて広がっている。多量の電荷が移動して伝導帯に放出され,抵抗が減少し,H₂への感度が高まった。本研究結果は,SnO₂ベースのセンサ設計の参考資料となった。(翻訳著者抄録)

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半導体の表面構造 , 分析機器 , 物理的手法を用いた吸着の研究

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電力変換器における銅をドープしたSnO2(110)表面へのH2の吸着機構

電力変換器における銅をドープしたSnO₂(110)表面へのH₂の吸着機構