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J-GLOBAL ID：201702268261621826   整理番号：17A0361959

単一Er~3+をドープしたおよびin~3+/Er~3+を共ドープしたLiNbO_3結晶の電気光学係数r_13とr_33【Powered by NICT】

Electro-optic coefficients r₁₃ and r₃₃ of singly Er³⁺-doped and In³⁺/Er³⁺-codoped LiNbO₃ crystals

著者 (22件)： Du Wan-Ying (Department of Opto-electronics and Information Engineering, School of Precision Instruments and Opto-electronics Engineering, Tianjin University, Tianjin 300072, People’s Republic of China) ,  Du Wan-Ying (Key Laboratory of Optoelectronic Information Technology (Ministry of Education),Tianjin University, Tianjin 300072, People’s Republic of China) ,  Du Wan-Ying (Department of Electronic Engineering and State Key Laboratory of Millimeter Waves, City University of Hong Kong, 83 Tat Chee Avenue, Kowloon, Hong Kong, People’s Republic of China) ,  Zhang Pei (Department of Mechanical Engineering and Materials, Tianjin Sino-German Vocational Technical College, No. 2 Yanshan Road, Haihe Education Park, Tianjin 300350, People’s Republic of China) ,  Zhang Pei (Department of Electronic Engineering and State Key Laboratory of Millimeter Waves, City University of Hong Kong, 83 Tat Chee Avenue, Kowloon, Hong Kong, People’s Republic of China) ,  Zhang Zi-Bo (University of Toulouse 3, Faculty of Engineering, 118 Route de Narbonne, F-31062 Toulouse, France) ,  Zhang Zi-Bo (Department of Electronic Engineering and State Key Laboratory of Millimeter Waves, City University of Hong Kong, 83 Tat Chee Avenue, Kowloon, Hong Kong, People’s Republic of China) ,  Ren Shuai (Department of Opto-electronics and Information Engineering, School of Precision Instruments and Opto-electronics Engineering, Tianjin University, Tianjin 300072, People’s Republic of China) ,  Ren Shuai (Key Laboratory of Optoelectronic Information Technology (Ministry of Education),Tianjin University, Tianjin 300072, People’s Republic of China) ,  Ren Shuai (Department of Electronic Engineering and State Key Laboratory of Millimeter Waves, City University of Hong Kong, 83 Tat Chee Avenue, Kowloon, Hong Kong, People’s Republic of China) ,  Wong Wing-Han (Department of Opto-electronics and Information Engineering, School of Precision Instruments and Opto-electronics Engineering, Tianjin University, Tianjin 300072, People’s Republic of China) ,  Wong Wing-Han (University of Toulouse 3, Faculty of Engineering, 118 Route de Narbonne, F-31062 Toulouse, France) ,  Wong Wing-Han (Department of Electronic Engineering and State Key Laboratory of Millimeter Waves, City University of Hong Kong, 83 Tat Chee Avenue, Kowloon, Hong Kong, People’s Republic of China) ,  Yu Dao-Yin (Department of Opto-electronics and Information Engineering, School of Precision Instruments and Opto-electronics Engineering, Tianjin University, Tianjin 300072, People’s Republic of China) ,  Yu Dao-Yin (Key Laboratory of Optoelectronic Information Technology (Ministry of Education),Tianjin University, Tianjin 300072, People’s Republic of China) ,  Yu Dao-Yin (Department of Electronic Engineering and State Key Laboratory of Millimeter Waves, City University of Hong Kong, 83 Tat Chee Avenue, Kowloon, Hong Kong, People’s Republic of China) ,  Pun Edwin Yue-Bun (University of Toulouse 3, Faculty of Engineering, 118 Route de Narbonne, F-31062 Toulouse, France) ,  Pun Edwin Yue-Bun (Department of Electronic Engineering and State Key Laboratory of Millimeter Waves, City University of Hong Kong, 83 Tat Chee Avenue, Kowloon, Hong Kong, People’s Republic of China) ,  Zhang De-Long (Department of Opto-electronics and Information Engineering, School of Precision Instruments and Opto-electronics Engineering, Tianjin University, Tianjin 300072, People’s Republic of China) ,  Zhang De-Long (Key Laboratory of Optoelectronic Information Technology (Ministry of Education),Tianjin University, Tianjin 300072, People’s Republic of China) ,  Zhang De-Long (University of Toulouse 3, Faculty of Engineering, 118 Route de Narbonne, F-31062 Toulouse, France) ,  Zhang De-Long (Department of Electronic Engineering and State Key Laboratory of Millimeter Waves, City University of Hong Kong, 83 Tat Chee Avenue, Kowloon, Hong Kong, People’s Republic of China)
資料名： Journal of Physics and Chemistry of Solids  (Journal of Physics and Chemistry of Solids)
巻： 100  ページ： 101-106  発行年： 2017年 
JST資料番号： C0202A  ISSN： 0022-3697  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 単独Er~3+ドープ及び二重で~3+/Er~3+をドープしたコングルエントLiNbO_3結晶をCzochralski法により成長させた。Er~3+のみをドープした結晶を固定した0.5mo1%Er_2O_3をドープした融液からの異なる濃度Er_2O_3 1mo1%まで,およびIn~3+/Er~3+を共ドープした結晶をドープした成長融液から成長させたが,0.0,0.5と1.0と1.5mo1%の様々なIn_2O_3含量。これらのドープ結晶の電気光学係数γ_13とγ_33をMach-Zehnder干渉測定により測定した。クランプと非クランプ両係数を測定した。結果は両γ_13とγ_33は小さなEr~3+とIn~3+ドーピング効果を明らかにすることを示した。Er~3+のみドーピングの場合では,γ_13はほぼ3%の実験誤差内で変化せず,γ_33はEr~3+ドーピングレベルの上昇とともに劣化傾向を明らかにするが,分解を考慮Er~3+濃度範囲0 3~mo1%(結晶)で5%以上ではない。~3+/Er~3+共ドーピングの場合,γ_13とγ_33の両方が誤差の範囲内で0 2 6mo1%(結晶)の研究では~3+濃度範囲で変化しないと見なすことができる。小型Er~3+またはIn~3+ドーピング効果はこれらの結晶の電気光学応用の観点から望まれている。LiNbO_3の欠陥構造に及ぼすEO係数モデルとドーピング効果に基づいて定性的に説明した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： *結晶 ,  干渉測定 ,  クランプ ,  ニオブ酸リチウム ,  Czochralski法 ,  *ドーピング
準シソーラス用語： 欠陥構造 ,  共ドーピング ,  ドーピング効果 ,  融液 ,  *電気光学係数 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： ニオブ酸リチウム ,  Er~3+ドーピング ,  ~3+/Er~3+共ドーピング ,  電気光学特性

分類 (4件)： 無機化合物のルミネセンス  (BM08093J) ,  その他の無機化合物の電気伝導  (BM03044O) ,  その他の無機化合物の格子欠陥  (BK12050B) ,  金属酸化物及び金属カルコゲン化物の結晶構造  (BK07020Y)

タイトルに関連する用語 (3件)： ドープ ,  結晶 ,  電気光学係数