文献

J-GLOBAL ID：201702268269304397   整理番号：17A0216241

ナノ細線接触界面におけるポテンシャル障壁高さの磁場変調による銅ナノ細線の室温における超巨大磁気抵抗

Super-giant magnetoresistance at room-temperature in copper nanowires due to magnetic field modulation of potential barrier heights at nanowire-contact interfaces

著者 (6件)： HOSSAIN Md I (Virginia Commonwealth Univ., Virginia, USA) ,  MAKSUD M (Virginia Commonwealth Univ., Virginia, USA) ,  PALAPATI N K R (Virginia Commonwealth Univ., Virginia, USA) ,  SUBRAMANIAN A (Virginia Commonwealth Univ., Virginia, USA) ,  ATULASIMHA J (Virginia Commonwealth Univ., Virginia, USA) ,  BANDYOPADHYAY S (Virginia Commonwealth Univ., Virginia, USA)
資料名： Nanotechnology  (Nanotechnology)
巻： 27  号： 30  ページ： 30LT02,1-6  発行年： 2016年07月29日 
JST資料番号： W0108A  ISSN： 0957-4484  CODEN： NNOTER  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 細線に沿って流れる電流の方向に対し横方向に磁場を印加すると,ローレンツ力によって細線の一方のエッジに向かって電子が偏向し,そのエッジで電子が蓄積し他のエッジでは電子が欠乏する。その結果,電子が蓄積された端部のポテンシャル障壁が低下し,他の端部の障壁は上昇する。この性質を利用し,ポテンシャル障壁を磁場で制御することで,ナノ細線における超巨大磁気抵抗を室温で観測した。具体的には,2つのAu接触パッドでCuナノ細線をはさんだAuパッド/Cu細線/Auハッドを作製した。Cuは表面が酸化されているため,極薄の障壁がCuとAuの間に形成される。従って,Auパッド間に電圧を印加すると,電子がこれらの障壁をトンネルし,および/または熱電子が障壁を越えて放出され,電流が流れる。細線に沿って流れる電流の方向に対して横方向に磁場を印加すると,上記現象によって障壁が低下する。従って,磁場を印加したときとしないときの抵抗が変化する。今回,上記Cuナノ細線について磁気抵抗を測定したところ,39mTの磁場において,約10000000%という負の超巨大磁気抵抗を室温で観測した。

シソーラス用語： *銅 ,  *ナノワイヤ ,  *磁気抵抗 ,  室温 ,  ポテンシャル障壁 ,  *磁場効果 ,  *金 ,  *電極 ,  サンドイッチ構造
準シソーラス用語： 超巨大磁気抵抗 ,  巨大磁気抵抗 ,  磁場変調 ,  *コンタクトパッド

分類 (1件)： 金属結晶の電子伝導  (BM03033M)

タイトルに関連する用語 (9件)： ナノ細線 ,  接触界面 ,  ポテンシャル ,  障壁高さ ,  磁場 ,  変調 ,  銅 ,  室温 ,  巨大磁気抵抗