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J-GLOBAL ID：201702268301148557   整理番号：17A0448804

紫外オゾン処理によるグラフェン酸化物/シリコンヘテロ接合に基づく光検出器におけるグラフェン酸化物水溶液の濡れ性の影響【Powered by NICT】

Wettability effects of graphene oxide aqueous solution in photodetectors based on graphene oxide/silicon heterojunctions via ultraviolet ozone treatment

著者 (5件)： Son Seung Bae (Jeonju Center, Korea Basic Science Institute, Jeonju, Jeollabuk-do, 54907, Republic of Korea) ,  Huang Fu (Jeonju Center, Korea Basic Science Institute, Jeonju, Jeollabuk-do, 54907, Republic of Korea) ,  Huang Fu (Department of Biotechnology, Chonbuk National University, Jeonju, 54596, Republic of Korea) ,  Bae Tae-Sung (Jeonju Center, Korea Basic Science Institute, Jeonju, Jeollabuk-do, 54907, Republic of Korea) ,  Hong Woong-Ki (Jeonju Center, Korea Basic Science Institute, Jeonju, Jeollabuk-do, 54907, Republic of Korea)
資料名： Journal of Alloys and Compounds  (Journal of Alloys and Compounds)
巻： 698  ページ： 384-389  発行年： 2017年 
JST資料番号： D0083A  ISSN： 0925-8388  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 紫外オゾン(UVO)処理によりGOシリコン(Si)光検出器の電気的および光応答特性に対する酸化グラフェン(GO)水溶液の濡れ性効果を報告した。GO-Si系垂直ヘテロ接合はスプレーコーティング法を用いて作製した。UVO処理(GO/p Si)GO/p Siヘテロ接合では,GOシートの島状集合体が形成され,GO積層構造は,部分的表面被覆率により,基板上の島構造形状を持つ可能性があることを示した。とは対照的に,UVO処理(GO/UVO p Si)のための,相対的により最密充填GO蒸着は基板表面の親水性に起因して発生,p-Si表面の完全な表面被覆率をもたらした。GO/p SiとGO/UVO p Siヘテロ接合に基づく光検出器は,異なる電気的および光応答特性を示した。GO/UVO p SiベースデバイスはGO/p Siベースデバイスと比較して,より高い暗電流比,高いターンオン電圧と低い理想因子を示した。光検出器における輸送機構は空間電荷制限伝導とGO層を通る電荷キャリアのトンネリングで説明できる。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： トンネル効果 ,  親水性 ,  *光検出器 ,  *オゾン ,  表面被覆 ,  積層構造 ,  *水溶液 ,  応答特性 ,  被覆率 ,  スプレー塗装 ,  *ヘテロ接合 ,  島状構造 ,  *濡れ
準シソーラス用語： 電荷キャリア ,  *酸化グラフェン , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 酸化グラフェン ,  ヘテロ接合 ,  光検出器 ,  濡れ挙動 ,  紫外線オゾン処理

分類 (2件)： 測光と光検出器一般  (BD07031F) ,  酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (7件)： オゾン処理 ,  グラフェン酸化物 ,  シリコン ,  ヘテロ接合 ,  光検出器 ,  水溶液 ,  濡れ性