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J-GLOBAL ID：201702268310929615   整理番号：17A0668380

ガラスインターポーザ技術高密度実装のための進歩【Powered by NICT】

Glass interposer technology advances for high density packaging

著者 (6件)： Kuramochi Satoru (Dai Nippon Printing Co., Ltd., 250-1 Wakashiba, Kashiwa-shi, Chiba-ken, Japan) ,  Kudo Hiroshi (Dai Nippon Printing Co., Ltd., 250-1 Wakashiba, Kashiwa-shi, Chiba-ken, Japan) ,  Akazawa Miyuki (Dai Nippon Printing Co., Ltd., 250-1 Wakashiba, Kashiwa-shi, Chiba-ken, Japan) ,  Mawatari Hiroshi (Dai Nippon Printing Co., Ltd., 250-1 Wakashiba, Kashiwa-shi, Chiba-ken, Japan) ,  Tanaka Masaya (Dai Nippon Printing Co., Ltd., 250-1 Wakashiba, Kashiwa-shi, Chiba-ken, Japan) ,  Fukuoka Yoshitaka (Weisti (Worldwide Electronic Integrated Substrate Technology Inc))
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2016  号： ICSJ  ページ： 213-216  発行年： 2016年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 電子製品が小さくなると増加数関数の軽いとして,高密度,高集積化への要求が強くなった。システムインパッケージ用のインタポーザは最新の電子システムのためのますます重要になってきた。シリコン貫通ビア(TSV)とライン(BEOL)配線のバックエンドを有するシリコンインターポーザは2.5Dおよび3Dシステムインテグレーションのための説得力のある利点を提供する;が,高コストと高い電気損失により制限されている。一方,ガラスは,そのようなインタポーザ基板のための理想的な基質にする多くの特性を有していた。超高抵抗率,調整可能な熱膨張(CTE)と生産性大型パネルサイズであった。形成能力によりガラスは過去数年にわたって劇的に改善された。ホール(50μm直径)を介して>100,000の完全占有ウエハは300μm厚ガラスで今日作製した。貫通ビアファインピッチ金属ガラスインターポーザの実証を提示した。多重チップの2.5D統合へのガラスインターポーザの応用は,超微細ラインアンドスペースを必要とする。セミアディティブプロセスはRDLに用いた銅シード層蒸着,フォトリソグラフィー,電解銅パターンめっき。TGV Co平面導波路で測定した高周波伝送特性。貫通ビア,完全充填めっきと共形めっきしたCuめっき法の双晶のタイプはX線観測を用いた工程能力と比較した。300mmパネルフォーマットで実証による共形めっきガラスインターポーザ。電気特性はデイジーチェーン試験基本車両で測定した。 40cereuses DEG80cereuses度から200μmピッチ通過1000サイクルで実証した信頼性による優れた。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 電子装置 ,  銅めっき ,  *高密度実装 ,  フォトリソグラフィー ,  電気抵抗率 ,  電気特性 ,  HF【周波数】 ,  銅 ,  三次元 ,  信頼性 ,  *ガラス ,  配線 ,  めっき
準シソーラス用語： *インターポーザ ,  *高密度 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (3件)： ガラス ,  インターポーザ ,  高密度実装