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J-GLOBAL ID：201702268555755662   整理番号：17A0301529

GA_XIN_(1-X)P材料の不規則性に及ぼす成長温度の影響とその応用を研究した。【JST・京大機械翻訳】

Effect of Growth Temperature on Disordering of Ga_xIn_(1-x)P Material and Application

著者 (8件)： Chang Xiaoyang (Institute of Laser Engineering,Beijing University of Technology) ,  Yao Shun (Institute of Laser Engineering,Beijing University of Technology) ,  Yang Cuibai (Redsolar New Energy Technology Co.Ltd.) ,  Zhang Yang (Institute of Laser Engineering,Beijing University of Technology) ,  Chen Bingzhen (Institute of Laser Engineering,Beijing University of Technology) ,  Zhang Xiaobin (Redsolar New Energy Technology Co.Ltd.) ,  Zhang Qiling (Institute of Laser Engineering,Beijing University of Technology) ,  Wang Zhiyong (Institute of Laser Engineering,Beijing University of Technology)
資料名： Cailiao Kexue Yu Gongcheng Xuebao  (Cailiao Kexue Yu Gongcheng Xuebao)
巻： 34  号： 5  ページ： 694-697  発行年： 2016年 
JST資料番号： C2657A  ISSN： 1673-2812  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： GA_XIN_(1-X)P材料の成長特性に及ぼす種々の成長温度の影響を,金属有機化合物気相エピタクシー(MOCVD)を用いて,GE基板上にGA_XIN_(1-X)Pの外部成長を研究することによって研究した。X線回折(XRD)と光ルミネセンス測定器(PL)を用いて,不規則性の変化を研究し,GA_XIN_(1-X)P材料の組成変化に起因するバンドギャップの偏移を修正した。最終的に,実験結果に従って,実際の生産におけるGAINP/GAINAS/GE3太陽電池を調整し,GA_XIN_(1-X)P材料の不規則性を改善することによって,電池のVOCは34MV増加し,変換効率は0.5%増加した。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： X線回折 ,  バンドギャップ ,  光ルミネセンス ,  太陽電池 ,  *気相成長 ,  計測器 ,  電池 ,  MOCVD
準シソーラス用語： 変換効率 ,  組成変化 ,  *成長温度 ,  *不規則性 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： Ga_xIn_(1-x)P ,  disordering ,  growth temperature ,  solar cells

分類 (1件)： 太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (4件)： 不規則性 ,  成長温度 ,  応用 ,  研究