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J-GLOBAL ID：201702268573657074   整理番号：17A0754691

薄膜太陽電池応用のための五元Cu_2Zn_xNi_1 SnS_4ナノ粒子インクの低コスト水熱合成と特性化【Powered by NICT】

Low-cost hydrothermal synthesis and characterization of pentanary Cu₂Zn_xNi_1- SnS₄ nanoparticle inks for thin film solar cell applications

著者 (9件)： Babu G. Sahaya Dennish (Centre for Scientific and Applied Research (C-SAR), PSN College of Engineering and Technology (Autonomous), Tirunelveli 627 152, Tamil Nadu, India) ,  Shajan X. Sahaya (Centre for Scientific and Applied Research (C-SAR), PSN College of Engineering and Technology (Autonomous), Tirunelveli 627 152, Tamil Nadu, India) ,  George Alphy (Materials Synthesis and Structural Characterization Division (MSSCD), Physical Metallurgy Group, Indira Gandhi Centre for Atomic Research (IGCAR), Kalpakkam 603 102, India) ,  Parameswaran P. (Materials Synthesis and Structural Characterization Division (MSSCD), Physical Metallurgy Group, Indira Gandhi Centre for Atomic Research (IGCAR), Kalpakkam 603 102, India) ,  Murugesan S. (Materials Synthesis and Structural Characterization Division (MSSCD), Physical Metallurgy Group, Indira Gandhi Centre for Atomic Research (IGCAR), Kalpakkam 603 102, India) ,  Divakar R. (Materials Synthesis and Structural Characterization Division (MSSCD), Physical Metallurgy Group, Indira Gandhi Centre for Atomic Research (IGCAR), Kalpakkam 603 102, India) ,  Mohandas E. (Materials Synthesis and Structural Characterization Division (MSSCD), Physical Metallurgy Group, Indira Gandhi Centre for Atomic Research (IGCAR), Kalpakkam 603 102, India) ,  Kumaresan S. (Emeritus Professor, Department of Bio-technology, Manonmaniam Sundaranar University, Tirunelveli 627 012, Tamil Nadu, India) ,  Rao G. Mohan (Department of Instrumentation and Applied Physics, Indian Institute of Science (IISc),, Bangalore 560012, India)
資料名： Materials Science in Semiconductor Processing  (Materials Science in Semiconductor Processing)
巻： 63  ページ： 127-136  発行年： 2017年 
JST資料番号： W1055A  ISSN： 1369-8001  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,Cu_2(Zn_Ni_1 )SnS_4ナノ粒子は24h,190°Cで1,0.75,0.50,0.25,0の異なる濃度のための容易で低コストの水熱法により合成することに成功した。Cu_2Zn_Ni_1 SnS_4ナノ粒子の生成のための可能な反応機構を報告した。合成したナノ粒子をX線回折(XRD),Raman分光法,電界放出走査電子顕微鏡(FESEM),透過型電子顕微鏡(TEM),X線光電子分光法(XPS)及び紫外-可視(UV-vis)分光研究によって特性化した。合成したナノ粒子の相純粋な黄錫亜鉛鉱および黄錫鉱構造をXRDとRaman分光分析によって確認した。正方晶ケステライト銅亜鉛スズ硫化物(Cu_2ZnSnS_4-CZTS)から構造転移黄錫鉱Cu_2Zn_Ni_1 SnS_4(x=0)は0.25 1の範囲中のニッケル濃度(x)を持つCu_2Zn_Ni_1 SnS_4試料で生じた。SEMとTEMの結果は,調製したCu_2Zn_Ni_1 SnS_4ナノ粒子の形態学的特徴を示した。調製したCu_2Zn_xNi_1 SnS_4ナノ粒子の光学バンドギャップは1.63eV(x=1)から1.36eV(x=0)に減少した。薄膜太陽電池への応用に有用であることが吸収体材料の適切なバンドギャップ範囲内にあった。暗及び明照明下Cu_2Zn_Ni_1 SnS_4(x=0~1および0.75)薄膜の光応答挙動を低コスト薄膜太陽電池応用における代替吸収体材料としてCu_2Zn_Ni_1 SnS_4ナノ粒子の可能性を示した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 透過型電子顕微鏡 ,  *水熱合成 ,  スズ ,  X線回折 ,  X線光電子分光法 ,  Raman分光法 ,  *ナノ粒子 ,  硫化物 ,  *キャラクタリゼーション ,  光学ギャップ ,  *薄膜 ,  反応機構 ,  吸収体 ,  Raman分光分析
準シソーラス用語： *薄膜太陽電池 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： Cu_2Znは_Ni_1 SnS_4 ,  水熱 ,  TEM ,  XPS ,  バンドギャップ ,  薄膜太陽電池

分類 (2件)： 太陽電池  (NC03084O) ,  固体デバイス材料  (NC03020K)

タイトルに関連する用語 (6件)： 薄膜太陽電池 ,  応用 ,  ナノ粒子 ,  インク ,  水熱合成 ,  特性化