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J-GLOBAL ID:201702268661520080   整理番号:17A0469122

グラフェン基板上の原子的に超MoTe_2横方向不均一相ホモ接合の分子ビームエピタクシー成長【Powered by NICT】

Molecular beam epitaxy growth of atomically ultrathin MoTe2 lateral heterophase homojunctions on graphene substrates
著者 (13件):
資料名:
巻: 115  ページ: 526-531  発行年: 2017年 
JST資料番号: H0270B  ISSN: 0008-6223  CODEN: CRBNA  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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二次元材料のvan der Waalsエピタクシー成長は新しい人工ヘテロ構造の制御可能な作製を約束する。ここでは,2時間と1t’相の良好な化学量論を持つグラフェン基板上に連続二テルル化モリブデン(MoTe_2)膜の分子ビームエピタクシー成長を報告した。成長後アニーリングはTeリッチ雰囲気中で抑制された相転移を明らかにし,in situ走査型トンネル顕微鏡法/分光法とX線光電子分光法。著者らの結果は,原子的に超薄MoTe_2横方向不均一相ホモ接合,今後横方向薄膜トランジスタにおける応用の可能性を示しを作製するための新しい経路を示唆した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】
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分類 (1件):
分類
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炭素とその化合物 

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