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J-GLOBAL ID：201702268847882034   整理番号：17A0445263

SAW応用のためのZnOバッファ層を用いたCサファイヤ上に成長させた質を高めAlNエピタキシャル膜【Powered by NICT】

Quality-enhanced AlN epitaxial films grown on c-sapphire using ZnO buffer layer for SAW applications

著者 (6件)： Fu Sulei (Key Laboratory of Advanced Materials (MOE), School of Materials Science and Engineering, Tsinghua University, Beijing 100084, China) ,  Li Qi (Key Laboratory of Advanced Materials (MOE), School of Materials Science and Engineering, Tsinghua University, Beijing 100084, China) ,  Gao Shuang (Key Laboratory of Advanced Materials (MOE), School of Materials Science and Engineering, Tsinghua University, Beijing 100084, China) ,  Wang Guangyue (Key Laboratory of Advanced Materials (MOE), School of Materials Science and Engineering, Tsinghua University, Beijing 100084, China) ,  Zeng Fei (Key Laboratory of Advanced Materials (MOE), School of Materials Science and Engineering, Tsinghua University, Beijing 100084, China) ,  Pan Feng (Key Laboratory of Advanced Materials (MOE), School of Materials Science and Engineering, Tsinghua University, Beijing 100084, China)
資料名： Applied Surface Science  (Applied Surface Science)
巻： 402  ページ： 392-399  発行年： 2017年 
JST資料番号： B0707B  ISSN： 0169-4332  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 薄いZnO緩衝層を有するAlNエピタキシャル膜は,弾性表面波(SAW)応用のためのDCマグネトロンスパッタリングによりc-サファイア上に堆積することに成功した。AlNエピタキシャル膜とそれに関連したSAW特性の構造特性に及ぼすZnOバッファ層の厚さの影響を系統的に調べた。結果は,薄いZnO緩衝層は有意にAlN膜の結晶品質を向上させ,AlN膜中の歪を放出することができることを明らかにした。AlN膜は(0001)[101 0]AlN∥(0001)[101 0]ZnO//(0001)[2 110]Al_2O_3の方位関係を持つZnO緩衝基板上にエピタキシャル成長させた。1.4GHzの中心周波数,5600m/sの位相速度を用いた高周波SAWデバイスは,得られたAlN膜上で達成された。最適ZnOバッファ層の厚さは10nmであることを見出し,0.84°のロッキングカーブ,ほぼ零応力とSAWデバイスの低挿入損失のFWHM値をもつ高品質エピタキシャルAlN膜が得られた。AlNベースSAWデバイスの応用のためのサファイア基板上の高品質AlNエピタキシャル膜を達成するための有効なアプローチを提供する。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： *バッファ層 ,  弾性表面波素子 ,  弾性表面波 ,  *エピタクシー ,  *サファイア ,  ロッキングカーブ ,  *窒化アルミニウム ,  挿入損 ,  構造特性 ,  *酸化亜鉛 ,  FWHM
準シソーラス用語： サファイア基板 ,  高品質 ,  結晶品質 ,  *エピタキシャル膜 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (3件)： AlNエピタキシャル膜 ,  ZnOバッファ層 ,  弾性表面波

分類 (2件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  半導体のルミネセンス  (BM08092S)

タイトルに関連する用語 (9件)： SAW ,  応用 ,  ZnO ,  バッファ層 ,  サファイヤ ,  成長 ,  質 ,  AlN ,  エピタキシャル膜