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J-GLOBAL ID：201702268856109424   整理番号：17A0375009

AlInGaN/GaNヘテロ構造の表面特性【Powered by NICT】

Surface properties of AlInGaN/GaN heterostructure

著者 (8件)： Minj A. (Department of Physics and Astronomy, University of Bologna, Bologna, Italy) ,  Skuridina D. (Institut fuer Festkorperphysik, Technische Universitaet Berlin, Hardenbergstrasse 36, 10623 Berlin, Germany) ,  Cavalcoli D. (Department of Physics and Astronomy, University of Bologna, Bologna, Italy) ,  Cros A. (Institute of Materials Science (ICMUV), University of Valencia, P.O. Box 22085, ES-46071 Valencia, Spain) ,  Vogt P. (Institut fuer Festkorperphysik, Technische Universitaet Berlin, Hardenbergstrasse 36, 10623 Berlin, Germany) ,  Kneissl M. (Institut fuer Festkorperphysik, Technische Universitaet Berlin, Hardenbergstrasse 36, 10623 Berlin, Germany) ,  Giesen C. (AIXTRON SE, Kaiserstr. 98, 52134 Herzogenrath, Germany) ,  Heuken M. (AIXTRON SE, Kaiserstr. 98, 52134 Herzogenrath, Germany)
資料名： Materials Science in Semiconductor Processing  (Materials Science in Semiconductor Processing)
巻： 55  ページ： 26-31  発行年： 2016年 
JST資料番号： W1055A  ISSN： 1369-8001  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 四元合金AlInGaN/GaNヘテロ構造の表面構造的,電子的および電気的性質を調べた。表面終端,原子配列,(0001)表面の電子的および電気的性質と(10 11)V欠陥のファセットは分光法と顕微鏡法を含む様々な表面感度技術を用いて実験的に解析した。さらに,接触電位差(V_CPD)上のサブバンドギャップ(障壁層の)照射の影響と酸素の化学吸着の役割を研究した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 表面構造 ,  スペクトロスコピー ,  電気的性質 ,  顕微鏡観察 ,  *表面性状 ,  酸素 ,  接触電位差 ,  化学吸着 ,  ファセット ,  *窒化ガリウム
準シソーラス用語： バリア層 ,  サブバンドギャップ ,  原子配列 ,  四元合金 ,  *ヘテロ構造 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： AlInGaN/GaN ,  Kelvinプローブ力顕微鏡 ,  走査型トンネル顕微鏡法 ,  V欠陥

分類 (3件)： 固体デバイス材料  (NC03020K) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  13-15族化合物を含む半導体-半導体接合  (BM03082Y)

タイトルに関連する用語 (3件)： GaN ,  ヘテロ構造 ,  表面特性