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J-GLOBAL ID：201702269301563982   整理番号：17A0362308

厚いSiO_2~をベースにした絶縁材料で被覆した鋼基板上の銅インジウムガリウムセレニド(CIGS)太陽電池素子【Powered by NICT】

Copper indium gallium selenide (CIGS) solar cell devices on steel substrates coated with thick SiO₂-based insulating material

著者 (5件)： Kim Kyoung-Bo (Department of Metallurgical & Materials Engineering, Inha Technical College, Incheon, 402-752, Republic of Korea) ,  Kim Moojin (Department of Renewable Energy, Jungwon University, Goesan-gun, Chungbuk, 367-805, Republic of Korea) ,  Lee Hong-Chan (Department of Renewable Energy, Jungwon University, Goesan-gun, Chungbuk, 367-805, Republic of Korea) ,  Park Sang-Wook (School of Chemical Engineering, Yeungnam University, Gyeongsan, 712-749, Republic of Korea) ,  Jeon Chan-Wook (School of Chemical Engineering, Yeungnam University, Gyeongsan, 712-749, Republic of Korea)
資料名： Materials Research Bulletin  (Materials Research Bulletin)
巻： 85  ページ： 168-175  発行年： 2017年 
JST資料番号： B0954A  ISSN： 0025-5408  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： フレキシブル銅インジウムガリウムセレニド(CIGS)をベースにした太陽電池は絶縁層で覆われたステンレス鋼(STS)基板上に開発した。SiO_2~をベースにした可溶性物質(「ゾルSiO_2」)で被覆したSTS箔上に作製したCIGS膜の特性を,プラズマ増強化学蒸着した酸化けい素(「PE SiO_2」)/MoNa/STSとSLG基板上のものと比較した。絶縁層から十分なNaドーピングによる補償ドナーの減少は高い開回路電圧と曲線因子に起因した。さらに,STS基板上に成長させたCIGS膜における二重傾斜Ga組成は保存され,開回路電圧は短絡電流の軽微な低下を伴い,増強された。結果として,14%の効率をもつ太陽電池はFe原子拡散障壁と外部Na取込を含むゾルSiO_2/STS試料上に作製した。これはPE SiO_2/MoNa/STSとSLG上の太陽電池から得られた9.5%と12.8%よりもはるかに高かった。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： ステンレス鋼 ,  ナトリウム ,  *太陽電池 ,  短絡電流 ,  可溶性 ,  ドナー ,  鉄 ,  プラズマCVD ,  *絶縁材料 ,  拡散障壁 ,  酸化ケイ素 ,  溶解性 ,  *絶縁体
準シソーラス用語： 曲線因子 ,  開回路電圧 ,  絶縁層 ,  *セレン化ガリウムインジウム銅 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： Aカルコゲン化物 ,  A酸化物 ,  A金属 ,  A.無機化合物 ,  D.電気的性質

分類 (1件)： 太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (4件)： 絶縁材料 ,  鋼 ,  銅 ,  CIGS