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J-GLOBAL ID：201702269680334012   整理番号：17A0400404

水素アニーリングによるGaおよびInをドープしたZnOナノロッドの増強されたX線励起ルミネセンス【Powered by NICT】

Enhanced X-ray excited luminescence of Ga- and In-doped ZnO nanorods by hydrogen annealing

著者 (10件)： Li Qianli (Shanghai Key Laboratory of Special Artificial Microstructure Materials & Technology, School of Physics Science and Engineering, Tongji University, Shanghai 200092, PR China) ,  Liu Xiaolin (Shanghai Key Laboratory of Special Artificial Microstructure Materials & Technology, School of Physics Science and Engineering, Tongji University, Shanghai 200092, PR China) ,  Gu Mu (Shanghai Key Laboratory of Special Artificial Microstructure Materials & Technology, School of Physics Science and Engineering, Tongji University, Shanghai 200092, PR China) ,  Huang Shiming (Shanghai Key Laboratory of Special Artificial Microstructure Materials & Technology, School of Physics Science and Engineering, Tongji University, Shanghai 200092, PR China) ,  Zhang Juannan (Shanghai Key Laboratory of Special Artificial Microstructure Materials & Technology, School of Physics Science and Engineering, Tongji University, Shanghai 200092, PR China) ,  Liu Bo (Shanghai Key Laboratory of Special Artificial Microstructure Materials & Technology, School of Physics Science and Engineering, Tongji University, Shanghai 200092, PR China) ,  Ni Chen (Shanghai Key Laboratory of Special Artificial Microstructure Materials & Technology, School of Physics Science and Engineering, Tongji University, Shanghai 200092, PR China) ,  Hu Yahua (Shanghai Key Laboratory of Special Artificial Microstructure Materials & Technology, School of Physics Science and Engineering, Tongji University, Shanghai 200092, PR China) ,  Zhao Shuning (Shanghai Key Laboratory of Special Artificial Microstructure Materials & Technology, School of Physics Science and Engineering, Tongji University, Shanghai 200092, PR China) ,  Wu Qiang (Shanghai Key Laboratory of Special Artificial Microstructure Materials & Technology, School of Physics Science and Engineering, Tongji University, Shanghai 200092, PR China)
資料名： Materials Research Bulletin  (Materials Research Bulletin)
巻： 86  ページ： 173-177  発行年： 2017年 
JST資料番号： B0954A  ISSN： 0025-5408  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： GaおよびInドープZnOナノロッドを水熱法により調製し,それらの形態,構造およびルミネセンス特性に及ぼす水素アニーリングの影響を詳細に調べた。結果は,アニーリング処理は,表面粗さの改善とナノロッドの結晶化をもたらすことを示した。さらに,水素アニールナノロッドは紫外発光の著しい増強と紫外及びX線励起下で可視発光の同時抑制だけでなく,サブナノ秒蛍光減衰時間を示した。から,これらのナノロッドは超高速と高空間分解能X線画像検出器への応用のための有望な候補であると期待されていることを意味している。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 水熱合成 ,  *焼なまし ,  X線画像 ,  *ナノロッド ,  *ガリウム ,  ナノ秒 ,  *インジウム ,  蛍光減衰 ,  *水素 ,  発光 ,  *ドーピング
準シソーラス用語： 超高速 ,  *X線励起 ,  *酸化亜鉛ナノロッド , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： ZnOナノロッド ,  イオンドーピング ,  水素アニーリング ,  光ルミネセンス ,  X線励起ルミネセンス

分類 (2件)： 塩基,金属酸化物  (CD01030Z) ,  コロイド化学一般  (CB11010C)

タイトルに関連する用語 (7件)： 水素 ,  アニーリング ,  Ga ,  ドープ ,  ZnOナノロッド ,  増強 ,  X線励起ルミネセンス