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J-GLOBAL ID：201702270074935179   整理番号：17A0886195

三電極配置における広帯域利得SOAモデル化と飽和パワー改善【Powered by NICT】

Wideband Gain MQW-SOA Modeling and Saturation Power Improvement in a Tri-Electrode Configuration

著者 (6件)： Motaweh T. (Ecole Nationale d’Ingenieurs de Brest, Lab-STICC UMR CNRS (6285), CS 73862, Brest Cedex 3, France) ,  Morel P. (Ecole Nationale d’Ingenieurs de Brest, Lab-STICC UMR CNRS (6285), CS 73862, Brest Cedex 3, France) ,  Sharaiha A. (Ecole Nationale d’Ingenieurs de Brest, Lab-STICC UMR CNRS (6285), CS 73862, Brest Cedex 3, France) ,  Brenot R. (III-V Lab, Route De ́partementale 128, Palaiseau Cedex, France) ,  Verdier A. (III-V Lab, Route De ́partementale 128, Palaiseau Cedex, France) ,  Guegan M. (Ecole Nationale d’Ingenieurs de Brest, Lab-STICC UMR CNRS (6285), CS 73862, Brest Cedex 3, France)
資料名： Journal of Lightwave Technology  (Journal of Lightwave Technology)
巻： 35  号： 10  ページ： 2003-2009  発行年： 2017年 
JST資料番号： H0922A  ISSN： 0733-8724  CODEN： JLTEDG  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 材料利得と多重量子井戸半導体光増幅器(MQW SOA)の利得係数の両方のために提案した半現象論的広帯域モデル。この解析モデルは,SOA専用シミュレーションツールに統合し,バイアス電流,入力パワーと波長の広い範囲にわたって実験的に検証した。約76nmでのその光学的帯域幅( 1dBで定義される)を維持しながら電極配置は100nmで3dB以上のMQW-SOA出力飽和パワーの増強を得ることを可能にするそれらの雑音指数またはそれらの光学利得帯域幅を犠牲にすることなく,MQW-SOAの飽和パワーを増加させるための多電極配置の能力を実証した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *モデリング ,  波長 ,  多重量子井戸 ,  解析モデル ,  *広帯域 ,  帯域幅 ,  半導体光増幅器 ,  *利得 ,  雑音指数
準シソーラス用語： 光利得 ,  バイアス電流 ,  シミュレーションツール ,  現象論 ,  利得係数 ,  *電極配置 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 光通信方式・機器  (ND10000B)

タイトルに関連する用語 (7件)： 電極配置 ,  広帯域 ,  利得 ,  SOA ,  モデル化 ,  飽和 ,  パワー