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J-GLOBAL ID：201702270265565323   整理番号：17A0665052

インジウムすず酸化物上でのHKUST-1の迅速な電気化学的合成【Powered by NICT】

Rapid electrochemical synthesis of HKUST-1 on indium tin oxide

著者 (7件)： Jiang Li-Long (National Engineering Research Center for Chemical Fertilizer Catalyst at Fuzhou University College of Chemistry and Chemical Engineering, Fuzhou University, Fuzhou, 350108, Fujian Province, P. R. China) ,  Zeng Xiangzhou ,  Li Mengkai ,  Wang Man-Qing ,  Su Tong-Yu ,  Tian Xiao-Chun ,  Tang Jing
資料名： RSC Advances (Web)  (RSC Advances (Web))
巻： 7  号： 15  ページ： 9316-9320  発行年： 2017年 
JST資料番号： U7055A  ISSN： 2046-2069  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 著者等は,電気めっきCu膜を用いたインジウムスズ酸化物(ITO)上のHKUST-1金属-有機骨格(MOF)を合成した。電着したCu/ITOはCuイオン源,ITO表面上にベンゼン-1,3,5-トリカルボン酸と結合したHKUST-1を形成したとして用いた。合成したHKUST-1/ITOをX線回折(XRD),Raman分光法,走査電子顕微鏡(SEM),HKUST-1フレームワークの形態はほぼ八面体であることを示したによって特性化した。著者らの結果は,HKUST-1の成長を用いて,ポテンシャルと合成時間に依存することを明らかにした。この方法はITO基板上のHKUST-1の秩序化パターンを作製し,多くの他の種類の導電性の基板上にMOFを成長させる新しい方法を提供することができる。Copyright 2017 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： Raman分光法 ,  電気めっき ,  キャラクタリゼーション ,  電着 ,  *酸化スズ ,  走査電子顕微鏡 ,  銅 ,  形態 ,  *インジウム ,  X線回折 ,  *化学合成 ,  八面体 ,  導電性
準シソーラス用語： MOF【配位高分子】 ,  *HKUST-1 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (4件)： セラミック・陶磁器の製造  (YC03020V) ,  電極過程  (CB07040U) ,  その他の無機化合物の結晶構造  (BK07030J) ,  その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A)

タイトルに関連する用語 (2件)： インジウムすず酸化物 ,  化学的合成