文献

J-GLOBAL ID：201702270778003558   整理番号：17A0780966

化学気相堆積技術を用いたβ-Ga₂O₃ナノワイヤの直径調整

Diameter Tuning of β-Ga₂O₃ Nanowires Using Chemical Vapor Deposition Technique

著者 (3件)： KUMAR Mukesh (Indian Inst. of Technol. Delhi) ,  KUMAR Vikram (Indian Inst. of Technol. Delhi) ,  SINGH R. (Indian Inst. of Technol. Delhi)
資料名： Nanoscale Research Letters (Web)  (Nanoscale Research Letters (Web))
巻： 12  号： 1  ページ： 12:184 (WEB ONLY)  発行年： 2017年12月 
JST資料番号： U7001A  ISSN： 1931-7573  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 種々の実験条件下,化学気相堆積技術を用いてβ-Ga₂O₃ナノワイヤの直径調整を研究した。単斜晶系構造を持つ成長したβ-Ga₂O₃ナノワイヤの基本の直径は,金属と基板間の分離距離の変化で調整する。気体流速と混合比がナノワイヤのモルフォロジーと直径に与える影響を調べた。ナノワイヤの直径は成長温度に依存し,低成長温度(800°C)と比較して高成長温度(850~900°C)での触媒ナノ粒子のサイズには依存しなかった。これらのナノワイヤは,直径の変化で構造歪値に変化を示した。ナノワイヤのバンドギャップは,直径が小さくあんると共に増加した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *化学蒸着 ,  *酸化ガリウム ,  *ナノワイヤ ,  *直径 ,  *制御 ,  流速 ,  混合気体 ,  化学組成 ,  温度依存性 ,  *バンドギャップ ,  *残留歪 ,  化合物半導体 ,  半導体薄膜 ,  *蒸着膜
準シソーラス用語： *触媒CVD

分類 (1件)： 酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (4件)： 化学気相堆積 ,  β-Ga2O3 ,  ナノワイヤ ,  直径